Evaluation of the strain state in SiGe/Si heterostructures by high resolution X-ray diffraction and convergent beam electron diffraction

Evaluation of the strain state in SiGe/Si heterostructures by high resolution X-ray diffraction and convergent beam electron diffraction

Proceedings of the International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits, IPFA

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Toh, S.L., Li, K., Ang, C.H., Rao, R., Er, E., Loh, K.P., Boothroyd, C.B., Chan, L.
مؤلفون آخرون: CHEMISTRY
التنسيق: Conference or Workshop Item
منشور في: 2014
الوصول للمادة أونلاين:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/77440
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: National University of Singapore

مواد مشابهة

مواد مشابهة