Laser-controlled etching of (Al,Ga)As epitaxial layers

Laser-controlled etching of (Al,Ga)As epitaxial layers

Materials Research Society Symposium - Proceedings

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Chong, T.C., Lu, Y.F., Lee, A.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL ENGINEERING
التنسيق:	Conference or Workshop Item
منشور في:	2014
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/81519
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة

A comparison of the selective etching characteristics of conventional and low-temperature-grown GaAs over AlAs by various etching solutions
بواسطة: Zhao, R., وآخرون
منشور في: (2014)

Effects of AlAs interfacial layer on material and optical properties of GaAsGe (100) epitaxy
بواسطة: Chia, C.K., وآخرون
منشور في: (2014)

Numerical prediction of etched profile in pyrolytic laser etching
بواسطة: Wee, T.S., وآخرون
منشور في: (2014)

External-field-controlled laser wet etching of polycrystalline Al2O3TiC
بواسطة: Lu, Y.-F., وآخرون
منشور في: (2014)

Characterisation of Be-doped GaInAs/AlGaAs multiple quantum well structures and GaInAsP layers grown by solid source molecular beam epitaxy
بواسطة: Shi, Wei.
منشور في: (2008)

Laser cleaning of etch-induced polymers from via holes
بواسطة: Lu, Y.F., وآخرون
منشور في: (2014)

Raman scattering study of a GaAsN epitaxial layer
بواسطة: Yu, G.Y., وآخرون
منشور في: (2014)

Effect of the (1010) crystal orientation on the optical gain of wurtzite GaN-AlGaN quantum-well lasers
بواسطة: Yeo, Y.C., وآخرون
منشور في: (2014)

Uniaxial strain effect on the electronic and optical properties of wurtzite GaN-AlGaN quantum-well lasers
بواسطة: Yeo, Y.C., وآخرون
منشور في: (2014)

Structural properties of GaN grown on AlGaN/AlN stress mitigating layers on 100-mm Si (111) by ammonia molecular beam epitaxy
بواسطة: Agrawal, M., وآخرون
منشور في: (2013)

Thermal stability of MISFET with low-temp molecular-beam epitaxy-grown GaAs and Al0.3Ga0.7As gate Ins
بواسطة: Rao, R.V.V.V.J., وآخرون
منشور في: (2014)

Analysis of optical gain and threshold current density of wurtzite InGaN/GaN/AlGaN quantum well lasers
بواسطة: Yeo, Y.C., وآخرون
منشور في: (2014)

Strain states of AlN/GaN-stress mitigating layer and their effect on GaN buffer layer grown by ammonia molecular beam epitaxy on 100-mm Si(111)
بواسطة: Ravikiran, L., وآخرون
منشور في: (2014)

Growth and investigation of quaternary III-III-III-V InGaAlAs alloy layers on InP by molecular beam epitaxy
بواسطة: Feng, Z.C., وآخرون
منشور في: (2014)

Laser-induced etching of polycrystalline Al2O3TiC in KOH aqueous solution
بواسطة: Lu, Y.-F., وآخرون
منشور في: (2014)

Numerical prediction of the etched profile in pyrolytic laser etching of silicon and gallium arsenide
بواسطة: Wee, T.-S., وآخرون
منشور في: (2014)

Demonstration of AlGaN/GaN MISHEMT on Si with low-temperature epitaxy grown AlN dielectric gate
بواسطة: Whiteside, Matthew, وآخرون
منشور في: (2021)

Removal of plasma-etch-induced polymers from submicron via holes by excimer laser ablation
بواسطة: Lu, Y.F., وآخرون
منشور في: (2014)

Comparison of the optical gain of wurtzite GaN/AlGaN quantum well lasers grown on the (0001)- and (101̄0) oriented substrates
بواسطة: Chong, T.C., وآخرون
منشور في: (2014)

Infrared reflectance analysis of GaN epitaxial layers grown on sapphire and silicon substrates
بواسطة: Feng, Z.C., وآخرون
منشور في: (2014)

Molecular beam epitaxial growth of GaAs/AlGaAs heterostructure and nitrogen-containing alloy on patterned substrate
بواسطة: Loke, Wan Khai.
منشور في: (2008)

Schottky diodes fabricated on cracked GaN epitaxial layer grown on (111) silicon
بواسطة: Park, S.-J., وآخرون
منشور في: (2014)

Improved crystalline quality of molecular beam epitaxy grown GaAs-on-Si epilayer through the use of low-temperature GaAs intermediate layer
بواسطة: Phua, Cheng Chiang, وآخرون
منشور في: (2014)

A study on Ga – Si interdiffusion during (Al)GaN/AlN growth on Si by plasma assisted molecular beam epitaxy
بواسطة: Zheng, Y., وآخرون
منشور في: (2020)

Annihilation of threading dislocations in regrown GaN on electrochemically etched nanoporous GaN template with optimization of buffer layer growth
بواسطة: Soh, C.B., وآخرون
منشور في: (2014)

Indium incorporation coefficients in the growth of AlInGaAs/Al0.3Ga0.7As quantum wells by molecular beam epitaxy
بواسطة: Chua, S.-J., وآخرون
منشور في: (2014)

Steam laser cleaning of plasma-etch-induced polymers from via holes
بواسطة: Lee, Y.P., وآخرون
منشور في: (2014)

Integration of GaAs epitaxial layer to Si-based substrate using Ge condensation and low-temperature migration enhanced epitaxy techniques
بواسطة: Oh, H.J., وآخرون
منشور في: (2014)

Characterization of InGaAlAs/InAlAs/InP heterostructures grown by molecular beam epitaxy
بواسطة: Zhang, Weimin
منشور في: (2008)

Epitaxial growth of Sc2 O3 films on GaN (0001) by pulsed laser deposition
بواسطة: Liu, C., وآخرون
منشور في: (2014)

Dislocation dynamics of strain relaxation in epitaxial layers
بواسطة: Wang, T.C., وآخرون
منشور في: (2014)

Analysis of optical gain and threshold current density of wurtzite InGaN/GaN/AlGaN quantum well lasers
بواسطة: Teo, Y. C., وآخرون
منشور في: (2013)

Dislocations and traps in MBE grown lattice mismatched p-InGaAs/GaAs layers on GaAs substrates
بواسطة: Du, A.Y., وآخرون
منشور في: (2014)

Growth of GaAs/AlGaAs quantum well lasers and GaAs/InGaAs vertical cavity surface emitting lasers by MBE
بواسطة: Li, Chaoyong.
منشور في: (2009)

Liquid-phase epitaxial growth of amorphous silicon during laser annealing of ultrashallow p+/n junctions
بواسطة: Chong, Y.F., وآخرون
منشور في: (2014)

AlGaAs optical phonon replicas in the photoluminescence spectra of GaAs layer in an Al0.3Ga0.7As/GaAs heterostructure
بواسطة: Chua, S.J., وآخرون
منشور في: (2014)

Atomic layer deposited Al2O3 on high quality p-type epitaxial-GaAs/Ge for advanced III-V/Ge based device application
بواسطة: Kumar G.D., وآخرون
منشور في: (2016)

Exposure of defects in GaN by plasma etching
بواسطة: Choi, H.W., وآخرون
منشور في: (2014)

Effect of growth temperature on the epitaxy strain relaxation and the tilt of InxAl1-x As graded layer grown by solid-source molecular beam epitaxy
بواسطة: Loke, W.K., وآخرون
منشور في: (2014)

Heavily silicon doped InGaAlAs InP epilayers grown by molecular beam epitaxy
بواسطة: Ramam, A., وآخرون
منشور في: (2014)