Effect of rapid thermal annealing on the properties of GaNAs thin films grown by molecular beam epitaxy
10.1016/j.jcrysgro.2005.12.045
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Liu, H.F., Xiang, N., Chua, S.J., Tripathy, S. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING |
التنسيق: | Conference or Workshop Item |
منشور في: |
2014
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83673 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Photoluminescence blueshift mechanisms in molecular beam epitaxy grown dilute nitride hetrostructures
بواسطة: VIVEK DIXIT
منشور في: (2010) -
Effect of In-segregation on subbands in GaInNAs/GaAs quantum wells emission around 1.3 and 1.55 micron
بواسطة: Dixit, V., وآخرون
منشور في: (2014) -
Study of thermal-anneal-induced rearrangement of N-bonding configurations in GalnNAs/GaAs quantum well
بواسطة: Dixit, V., وآخرون
منشور في: (2014) -
Interpretation of anomalous photoluminescence peak in GaAs 1-xNx grown by molecular beam epitaxy
بواسطة: Fan, W.J., وآخرون
منشور في: (2014) -
Annealing behavior of N-bonding configurations in GaN 0.023As0.977 ternary alloy grown on GaAs (0 0 1) substrate by molecular beam epitaxy
بواسطة: Liu, H.F., وآخرون
منشور في: (2014)