Lanthanide-incorporated metal nitrides with tunable work function and good thermal stability for NMOS devices
10.1109/.2005.1469204
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Ren, C., Chan, D.S.H., Faizhal, B.B., Li, M.-F., Yeo, Y.-C., Trigg, A.D., Agarwal, A., Balasubramanian, N., Pan, J.S., Lim, P.C., Kwong, D.-L. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING |
التنسيق: | Conference or Workshop Item |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83882 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Work function tuning and material characteristics of lanthanide-incorporated metal nitride gate electrodes for NMOS device applications
بواسطة: Ren, C., وآخرون
منشور في: (2014) -
Physical and electrical properties of lanthanide-incorporated tantalum nitride for n -channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
بواسطة: Ren, C., وآخرون
منشور في: (2014) -
Work function tuning of metal nitride electrodes for advanced CMOS devices
بواسطة: Ren, C., وآخرون
منشور في: (2014) -
Work function tunability by incorporating lanthanum and aluminum into refractory metal nitrides and a feasible integration process
بواسطة: Wang, X.P., وآخرون
منشور في: (2014) -
Novel rare-earth dielectric interlayers for wide NMOS work-function tunability in Ni-FUSI gates
بواسطة: Lim, A.E.-J., وآخرون
منشور في: (2014)