Photoluminescence quenching mechanisms in GaInNAs/GaAs quantum well grown by solid source molecular beam epitaxy

The photoluminescence (PL) quenching characteristics of a thermal-annealed ~7 nm GaInNAs/ GaAs quantum well (QW) with In=30% and N=1.5% were studied from 4 to 150 K. It is found that the integrated PL intensity versus temperature characteristic can be well fitted by a double activation energy model....

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Ng, T. K., Yoon, Soon Fatt, Fan, Weijun, Loke, Wan Khai, Wang, S. Z., Ng, S. T.
مؤلفون آخرون: School of Electrical and Electronic Engineering
التنسيق: مقال
اللغة:English
منشور في: 2013
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://hdl.handle.net/10356/100830
http://hdl.handle.net/10220/17959
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة