Simplified Assembly of Through-Silicon-Via Integrated Ion Traps
The scalability of surface electrode ion traps has been progressively improved with the on-chip integration of conventionally bulk components. Based on the development of through silicon via (TSV) integrated ion trap, in this work, we further simplify the back-end assembly process by patterning...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Zhao, Peng, Li, Hong Yu, Likforman, Jean-Pierre, Henner, Theo, Lim, Yu Dian, Hu, Liang Xing, Seit, Wen Wei, Luca, Guidoni, Tan, Chuan Seng |
---|---|
مؤلفون آخرون: | School of Electrical and Electronic Engineering |
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
2023
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/170177 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
RF performance benchmarking of TSV integrated surface electrode ion trap for quantum computing
بواسطة: Zhao, Peng, وآخرون
منشور في: (2021) -
Development of mixed pitch grating for the optical addressing of trapped Sr+ Ion with data analysis techniques
بواسطة: Lim, Yu Dian, وآخرون
منشور في: (2023) -
Ceramic pin grid array with built-in interconnects to locate TSV integrated ion trap for wire bonding-free assembly
بواسطة: Zhao, Peng, وآخرون
منشور في: (2023) -
Large-scale fabrication of surface ion traps on a 300 mm glass wafer
بواسطة: Tao, Jing, وآخرون
منشور في: (2022) -
Growth and fabrication of carbon-based three-dimensional heterostructure in through-silicon vias (TSVs) for 3D interconnects
بواسطة: Zhu, Ye, وآخرون
منشور في: (2021)