Optimizing of TiN barrier properties for CNT interconnects
This report aims to investigate the various parameters on optimizing of the Titanium Nitride (TiN) thin films to achieve low resistivity, fabrication of four point probe flip chip design and measurement of the flip chip interconnection resistance. Three controlled parameters are experimented in the...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Ng, Anthony Tian Shi |
---|---|
مؤلفون آخرون: | Tay Beng Kang |
التنسيق: | Final Year Project |
اللغة: | English |
منشور في: |
2012
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://hdl.handle.net/10356/50111 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Design and improvements for yield optimization of novel CNT transfer technique
بواسطة: Wong, Marcus Hur Koon
منشور في: (2020) -
Improvement of contact resistance through barrier metallization optimization
بواسطة: Goh, Edwin Beng Chye.
منشور في: (2008) -
Reliability modeling for ULSI interconnects
بواسطة: Hou, Yue Jin
منشور في: (2010) -
The influence of titanium nitride barrier layer on the properties of CNT bundles
بواسطة: Yap, Chin Chong, وآخرون
منشور في: (2013) -
Study of chemical vapor deposited carbon nanotubes as electrical interconnect
بواسطة: Ng, Chou Shing
منشور في: (2013)