Evolution of quasi-breakdown in thin gate oxides
10.1063/1.1464648
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Loh, W.Y., Cho, B.J., Li, M.F. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/55923 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | National University of Singapore |
مواد مشابهة
-
Bipolar current stressing and electrical recovery of quasi-breakdown in thin gate oxides
بواسطة: Loh, W.Y., وآخرون
منشور في: (2014) -
Investigation of quasi-breakdown mechanism in ultra-thin gate oxides
بواسطة: Guan, H., وآخرون
منشور في: (2014) -
Annealing behavior of gate oxide leakage current after quasi-breakdown
بواسطة: Xu, Z., وآخرون
منشور في: (2014) -
Investigation of quasi-breakdown mechanism through post-quasi-breakdown thermal annealing
بواسطة: Loh, W.Y., وآخرون
منشور في: (2014) -
A thorough study of quasi-breakdown phenomenon of thin gate oxide in dual-gate CMOSFET's
بواسطة: Guan, H., وآخرون
منشور في: (2014)