Extended Arrhenius law of time-to-breakdown of ultrathin gate oxides
10.1063/1.1566460
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Xu, M., Tan, C., Li, M. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/55972 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Experimental evidence of interface-controlled mechanism of quasi-breakdown in ultrathin gate oxide
بواسطة: Guan, H., وآخرون
منشور في: (2014) -
The statistical distribution of percolation current for soft breakdown in ultrathin gate oxide
بواسطة: Lin, W.H., وآخرون
منشور في: (2014) -
The statistical distribution of percolation current for soft breakdown in ultrathin gate oxide
بواسطة: Lin, W.H., وآخرون
منشور في: (2014) -
A study of quasi-breakdown mechanism in ultrathin gate oxide under various types of stress
بواسطة: Guan, H., وآخرون
منشور في: (2014) -
Study of breakdown in ultrathin gate dielectrics in nanoscale MOSFETs
بواسطة: Lo, Vui Lip
منشور في: (2010)