Simulation of logarithmic time dependence of hot carrier degradation in PMOSFETs
10.1088/0268-1242/10/12/016
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Ling, C.H., Samudra, G.S., Seah, B.P. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL ENGINEERING |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/62772 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Measurement and simulation of hot carrier degradation in PMOSFET by gate capacitance
بواسطة: Ling, C.H., وآخرون
منشور في: (2014) -
Logarithmic time dependence of pMOSFET degradation observed from gate capacitance
بواسطة: Ling, C.H., وآخرون
منشور في: (2014) -
Hot-carrier induced degradation in the subthreshold characteristics of LDD PMOSFETs
بواسطة: Lou, C.L., وآخرون
منشور في: (2014) -
Hot carrier degradation study in PMOSFET using gated-diode drain current and charge pumping measurements
بواسطة: Goh, Y.H., وآخرون
منشور في: (2014) -
Modelling the hot-carrier induced degradation in the subthreshold characteristics of submicrometer LDD PMOSFETs
بواسطة: Lou, C.L., وآخرون
منشور في: (2014)