Carrier transport in strained p-channel field-effect transistors with diamondlike carbon liner stressor
10.1063/1.3340947
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Cheng, R., Liu, B., Yeo, Y.-C. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82030 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | National University of Singapore |
مواد مشابهة
-
Carrier transport in strained N-channel field effect transistors with channel proximate silicon-carbon source/drain stressors
بواسطة: Koh, S.-M., وآخرون
منشور في: (2014) -
Performance benefits of diamond-like carbon liner stressor in strained p-channel field-effect transistors with silicon-germanium source and drain
بواسطة: Tan, K.-M., وآخرون
منشور في: (2014) -
Strained silicon nanowire p-channel FETs with diamond-like carbon liner stressor
بواسطة: Liu, B., وآخرون
منشور في: (2014) -
Diamond-like carbon (DLC) liner: A new stressor for P-channel multiple-gate field-effect transistors
بواسطة: Tan, K.-M., وآخرون
منشور في: (2014) -
Phase change liner stressor for strain engineering of P-channel FinFETs
بواسطة: Ding, Y., وآخرون
منشور في: (2014)