Modelling temperature dependence on AlGaN/GaN power HEMT device characteristics

Modelling temperature dependence on AlGaN/GaN power HEMT device characteristics

10.1088/0268-1242/28/12/125010

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Wang, Y.-H., Liang, Y.C., Samudra, G.S., Chang, T.-F., Huang, C.-F., Yuan, L., Lo, G.-Q.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	مقال
منشور في:	2014
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82715
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة

Modelling of temperature dependence on current collapse phenomenon in AlGaN/GaN HEMT devices
بواسطة: Samudra, G.S., وآخرون
منشور في: (2014)

AlGaN/GaN power HEMT devices for future energy conversion applications
بواسطة: Liang, Y.C., وآخرون
منشور في: (2014)

Phenomenon of drain current instability on p-GaN gate AlGaN/GaN HEMTs
بواسطة: Chang, T.-F., وآخرون
منشور في: (2016)

Theoretical calculation and efficient simulations of power semiconductor AlGaN/GaN HEMTs
بواسطة: Huang, H., وآخرون
منشور في: (2014)

Analytical modelling of high temperature characteristics on the DC responses for Schottky-gate AlGaN/GaN HEMT devices
بواسطة: Wang, Y.-H., وآخرون
منشور في: (2014)

The temperature dependent TCAD and SPICE modeling of AlGaN/GaN HEMTs
بواسطة: Yuan, Li, وآخرون
منشور في: (2013)

Influences of gate drive on pulsed current collapse recovery in AlGaN/GaN power HEMTs
بواسطة: Li, Y., وآخرون
منشور في: (2014)

Effects of gate field plates on the surface state related current collapse in AlGaN/GaN HEMTs
بواسطة: Huang, H., وآخرون
منشور في: (2014)

Design of novel normally-off AlGaN/GaN HEMTs with combined gate recess and floating charge structures
بواسطة: Huang, H., وآخرون
منشور في: (2014)

AlGaN/GaN HEMT-based ultraviolet photodetectors with enhanced device efficiency
بواسطة: Ahmed Salah Hawash Razeen
منشور في: (2024)

Study on trapping effects in AlGaN/GaN-on-Si devices with vertical interconnect structures
بواسطة: Chang, T.-F, وآخرون
منشور في: (2020)

Material characterization of AlGaN/GaN based HEMT structures
بواسطة: Nur Hidayat Bin Hatwi
منشور في: (2014)

Analytical models for channel potential and drain current in AlGaN/GaN HEMT devices
بواسطة: Qian, Haisheng, وآخرون
منشور في: (2020)

AlGaN/GaN HEMT based gas sensor characterisation and measurement
بواسطة: Ng, Ting Siang
منشور في: (2018)

A Threshold Voltage Model for Charge Trapping Effect of AlGaN/GaN HEMTs
بواسطة: Jia, Y., وآخرون
منشور في: (2021)

Characterization and analysis of AlGaN/GaN HEMTs on Si for high frequency application
بواسطة: Pang, Vanessa Du Juan
منشور في: (2017)

Au-free normally-off AlGaN/GaN-on-Si MIS-HEMTs using combined partially recessed and fluorinated trap-charge gate structures
بواسطة: Huang, H., وآخرون
منشور في: (2014)

Ga-bilayer controlled AlGaN/GaN HEMT structure grown on Si by PA-MBE
بواسطة: Agrawal, M., وآخرون
منشور في: (2011)

High vertical breakdown strength in with low specific on-resistance AlGaN/AlN/GaN HEMTs on silicon
بواسطة: Vicknesh, S., وآخرون
منشور في: (2014)

Experimental study of AlGaN/GaN HEMT based devicesfor gas sensing applications
بواسطة: Jahan, Fina
منشور في: (2018)

Comments on "thermal resistance calculation of AlGaN-GaN devices"
بواسطة: Yin, W.-Y., وآخرون
منشور في: (2014)

Variable range hopping-assisted parasitic channel leakage in AlN/GaN/AlGaN HEMTs on Si
بواسطة: Liu, Siyu, وآخرون
منشور في: (2024)

Study of the effect of forward gate bias stress on the reliability of AlGaN/GaN HEMTs on SI
بواسطة: Gao, Yu
منشور في: (2021)

Growth and characterization of AlGaN/GaN HEMT heterostructures on 100-mm Si (111) by MBE
بواسطة: Manvi Agrawal
منشور في: (2013)

Enhanced performance of ultraviolet AlGaN/GaN photo-HEMTs by optimized channel isolation schemes
بواسطة: Mondal, Ramit Kumar, وآخرون
منشور في: (2024)

Investigation of self-heating effect on DC and RF performances in AlGaN/GaN HEMTs on CVD-Diamond
بواسطة: Ranjan, Kumud, وآخرون
منشور في: (2020)

Enhanced device performance of AlGaN/GaN HEMTs using HfO2 high-k dielectric for surface passivation and gate oxide
بواسطة: Liu, C., وآخرون
منشور في: (2014)

Investigation of the role of pre-existing oxide in the initial degradation mechanism in AlGaN/GaN HEMTs under ON-state stress
بواسطة: Tan, H. T., وآخرون
منشور في: (2024)

Advantages of the Blue InGaN/GaN Light-Emitting Diodes with an AlGaN/GaN/AlGaN Quantum Well Structured Electron Blocking Layer
بواسطة: Ju, Zhen Gang, وآخرون
منشور في: (2016)

Investigation of Rh-based Schottky electrode on AlGaN/GaN heterostructure
بواسطة: Tian, F., وآخرون
منشور في: (2014)

Improved reliability of AlGaN/GaN-on-Si high electron mobility transistors (HEMTs) with high density silicon nitride passivation
بواسطة: Sasangka, W. A., وآخرون
منشور في: (2017)

Realization of two dimensional electron gas in AlGaN/GaN HEMT structure grown on Si (111) by PA-MBE
بواسطة: Sun, Z. Z., وآخرون
منشور في: (2011)

Compact modeling for GaN HEMT devices
بواسطة: Binit Syamal
منشور في: (2017)

Electronic structures of AlGaN2 nanotubes and AlN-GaN nanotube superlattice
بواسطة: Pan, H., وآخرون
منشور في: (2014)

Effect of the (1010) crystal orientation on the optical gain of wurtzite GaN-AlGaN quantum-well lasers
بواسطة: Yeo, Y.C., وآخرون
منشور في: (2014)

Uniaxial strain effect on the electronic and optical properties of wurtzite GaN-AlGaN quantum-well lasers
بواسطة: Yeo, Y.C., وآخرون
منشور في: (2014)

Analysis of optical gain and threshold current density of wurtzite InGaN/GaN/AlGaN quantum well lasers
بواسطة: Yeo, Y.C., وآخرون
منشور في: (2014)

The study of piezoelectric effect in wurtzite GaN/InGaN/AlGaN multilayer structures
بواسطة: Liu, W., وآخرون
منشور في: (2014)

Characterization of deep region trapping effects in AlN/GaN HEMTs with an AlGaN back barrier utilizing tri-state pulsed IV technique
بواسطة: Zhuang, Yihao, وآخرون
منشور في: (2024)

AlN/GaN/AlGaN-on-Si HEMT achieving 1.3 W/mm at 5 v for 5G FR2 handsets
بواسطة: Li, Hanchao, وآخرون
منشور في: (2025)