Platinum germanosilicide as source/drain contacts in P-channel fin field-effect transistors (FinFETs)
10.1109/TED.2009.2021351
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Lee, R.T.P., Chi, D.Z., Yeo, Y.-C. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82918 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Schottky barrier height modulation of nickeldysprosium-alloy germanosilicide contacts for strained P-FinFETs
بواسطة: Sinha, M., وآخرون
منشور في: (2014) -
P-channel tri-gate FinFETs featuring Ni1-yPtySiGe source/drain contacts for enhanced drive current performance
بواسطة: Lee, R.T.-P., وآخرون
منشور في: (2014) -
Sulfur-induced PtSi:C/Si:C Schottky barrier height lowering for realizing N-channel FinFETs with reduced external resistance
بواسطة: Lee, R.T.-P., وآخرون
منشور في: (2014) -
Contact-resistance reduction for strained n-FinFETs with silicon-carbon source/drain and platinum-based silicide contacts featuring tellurium implantation and segregation
بواسطة: Koh, S.-M., وآخرون
منشور في: (2014) -
N-channel FinFETs with 25-nm gate length and Schottky-Barrier source and drain featuring Ytterbium silicide
بواسطة: Lee, R.T.P., وآخرون
منشور في: (2014)