Random telegraph signal noise in gate-all-around Si-FinFET with ultranarrow body

Random telegraph signal noise in gate-all-around Si-FinFET with ultranarrow body

10.1109/LED.2006.880640

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Lim, Y.F., Xiong, Y.Z., Singh, N., Yang, R., Jiang, Y., Chan, D.S.H., Loh, W.Y., Bera, L.K., Lo, G.Q., Balasubramanian, N., Kwong, D.-L.
مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق: مقال
منشور في: 2014
الموضوعات:
FinFET
Flicker (1/f) noise
Gate-all-around (GAA)
Noise
Random telegraph signals (RTS)
الوصول للمادة أونلاين:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82964
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة

مواد مشابهة