Lithography exposure characteristics of poly(methyl methacrylate) (PMMA) for carbon, helium and hydrogen ions
Poly(methyl methacrylate) is a common polymer used as a lithographic resist for all forms of particle (photon, ion and electron) beam writing. Faithful lithographic reproduction requires that the exposure dose, Θ, lies in the window Θ0 ≤ Θ < Θ×0, where Θ0 and Θ×0 represent the clearing and cr...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Puttaraksa N., Norarat R., Laitinen M., Sajavaara T., Singkarat S., Whitlow H.J. |
---|---|
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-79951960125&partnerID=40&md5=28b6b6135971046c81edcd3cd26d35fd http://cmuir.cmu.ac.th/handle/6653943832/6856 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Lithography exposure characteristics of poly(methyl methacrylate) (PMMA) for carbon, helium and hydrogen ions
بواسطة: Nitipon Puttaraksa, وآخرون
منشور في: (2018) -
Programmable proximity aperture lithography with MeV ion beams
بواسطة: Puttaraksa N., وآخرون
منشور في: (2014) -
Fabrication of a negative PMMA master mold for soft-lithography by MeV ion beam lithography
بواسطة: Puttaraksa N., وآخرون
منشور في: (2014) -
Fabrication of a negative PMMA master mold for soft-lithography by MeV ion beam lithography
بواسطة: Puttaraksa N., وآخرون
منشور في: (2014) -
Fabrication of a negative PMMA master mold for soft-lithography by MeV ion beam lithography
بواسطة: Puttaraksa,N., وآخرون
منشور في: (2015)