Investigation of low temperature wafer bonding using intermediate layer
In this project, the sol-gel intermediate layer bonding is demonstrated to provide high bond strength at low temperature (such as 100 degree celsius).
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Deng, Shusheng |
---|---|
مؤلفون آخرون: | Tan, Cher Ming |
التنسيق: | Theses and Dissertations |
منشور في: |
2008
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://hdl.handle.net/10356/4209 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Nanyang Technological University |
مواد مشابهة
-
Study of low temperature plasma activated wafer bonding
بواسطة: Yeo, Thomas Peng Siong.
منشور في: (2013) -
Fabrication and characterization of silicon-on-insulator using low temperature wafer bonding
بواسطة: Yu, Weibo
منشور في: (2008) -
Study of Ag-In solder as low temperature wafer bonding intermediate layer
بواسطة: Made, R.I., وآخرون
منشور في: (2014) -
Improvement on within wafer and wafer-to-wafer uniformity by chemical mechanical polishing (CMP)
بواسطة: Wu, Hong Ying.
منشور في: (2008) -
Low temperature three dimensional wafer level copper thermo-compression bonding
بواسطة: Lim, Dau Fatt.
منشور في: (2013)