Growth of gallium nitride nanowires by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD)
Group-III nitrides such as gallium nitride (GaN) have been intensively used for high power electronic, optoelectronic, RF power and sensor applications such as blue light emitting diodes (LEDs), high power and high voltage transistors, etc. In recent years, nanowires have gained interest due to the...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | Theses and Dissertations |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2013
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/54694 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| المؤسسة: | Nanyang Technological University |
| اللغة: | English |