Study on trapping effects in AlGaN/GaN-on-Si devices with vertical interconnect structures

Study on trapping effects in AlGaN/GaN-on-Si devices with vertical interconnect structures

10.1149/2.0131711jss

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Chang, T.-F, Chang, C.-Y, Huang, C.-F, Liang, Y.C, Samudra, G.S, Lin, R.-M
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL AND COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	Editorial
منشور في:	Electrochemical Society 2020
الوصول للمادة أونلاين:	https://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/183553
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة

Phenomenon of drain current instability on p-GaN gate AlGaN/GaN HEMTs
بواسطة: Chang, T.-F., وآخرون
منشور في: (2016)

AlGaN/GaN power HEMT devices for future energy conversion applications
بواسطة: Liang, Y.C., وآخرون
منشور في: (2014)

Theoretical calculation and efficient simulations of power semiconductor AlGaN/GaN HEMTs
بواسطة: Huang, H., وآخرون
منشور في: (2014)

Modelling temperature dependence on AlGaN/GaN power HEMT device characteristics
بواسطة: Wang, Y.-H., وآخرون
منشور في: (2014)

Effects of gate field plates on the surface state related current collapse in AlGaN/GaN HEMTs
بواسطة: Huang, H., وآخرون
منشور في: (2014)

Modelling of temperature dependence on current collapse phenomenon in AlGaN/GaN HEMT devices
بواسطة: Samudra, G.S., وآخرون
منشور في: (2014)

Au-free normally-off AlGaN/GaN-on-Si MIS-HEMTs using combined partially recessed and fluorinated trap-charge gate structures
بواسطة: Huang, H., وآخرون
منشور في: (2014)

A Threshold Voltage Model for Charge Trapping Effect of AlGaN/GaN HEMTs
بواسطة: Jia, Y., وآخرون
منشور في: (2021)

Influences of gate drive on pulsed current collapse recovery in AlGaN/GaN power HEMTs
بواسطة: Li, Y., وآخرون
منشور في: (2014)

Design of novel normally-off AlGaN/GaN HEMTs with combined gate recess and floating charge structures
بواسطة: Huang, H., وآخرون
منشور في: (2014)

Analytical modelling of high temperature characteristics on the DC responses for Schottky-gate AlGaN/GaN HEMT devices
بواسطة: Wang, Y.-H., وآخرون
منشور في: (2014)

Studies of traps in AlGaN/GaN high electron mobility transistors on silicon
بواسطة: Anand Mulagumoottil Jesudas
منشور في: (2016)

Advantages of the Blue InGaN/GaN Light-Emitting Diodes with an AlGaN/GaN/AlGaN Quantum Well Structured Electron Blocking Layer
بواسطة: Ju, Zhen Gang, وآخرون
منشور في: (2016)

Characterization and analysis of AlGaN/GaN HEMTs on Si for high frequency application
بواسطة: Pang, Vanessa Du Juan
منشور في: (2017)

Ga-bilayer controlled AlGaN/GaN HEMT structure grown on Si by PA-MBE
بواسطة: Agrawal, M., وآخرون
منشور في: (2011)

Investigation of Rh-based Schottky electrode on AlGaN/GaN heterostructure
بواسطة: Tian, F., وآخرون
منشور في: (2014)

High vertical breakdown strength in with low specific on-resistance AlGaN/AlN/GaN HEMTs on silicon
بواسطة: Vicknesh, S., وآخرون
منشور في: (2014)

Comments on "thermal resistance calculation of AlGaN-GaN devices"
بواسطة: Yin, W.-Y., وآخرون
منشور في: (2014)

Effect of the (1010) crystal orientation on the optical gain of wurtzite GaN-AlGaN quantum-well lasers
بواسطة: Yeo, Y.C., وآخرون
منشور في: (2014)

Uniaxial strain effect on the electronic and optical properties of wurtzite GaN-AlGaN quantum-well lasers
بواسطة: Yeo, Y.C., وآخرون
منشور في: (2014)

Analysis of optical gain and threshold current density of wurtzite InGaN/GaN/AlGaN quantum well lasers
بواسطة: Yeo, Y.C., وآخرون
منشور في: (2014)

Effect of OFF-state stress induced electric field on trapping in AlGaN/GaN high electron mobility transistors on Si (111)
بواسطة: Anand, M. J., وآخرون
منشور في: (2015)

Comparative investigation of photoluminescence of In- and Si- doped GaN/AlGaN multi-quantum wells
بواسطة: Sun, W.H., وآخرون
منشور في: (2014)

Electronic structures of AlGaN2 nanotubes and AlN-GaN nanotube superlattice
بواسطة: Pan, H., وآخرون
منشور في: (2014)

Self-heating and trapping effect in AlGaN/GaN high electron mobility transistors on CVD-diamond
بواسطة: Kumud Ranjan
منشور في: (2020)

Material characterization of AlGaN/GaN based HEMT structures
بواسطة: Nur Hidayat Bin Hatwi
منشور في: (2014)

Demonstration of AlGaN/GaN MISHEMT on Si with low-temperature epitaxy grown AlN dielectric gate
بواسطة: Whiteside, Matthew, وآخرون
منشور في: (2021)

Variable range hopping-assisted parasitic channel leakage in AlN/GaN/AlGaN HEMTs on Si
بواسطة: Liu, Siyu, وآخرون
منشور في: (2024)

The study of piezoelectric effect in wurtzite GaN/InGaN/AlGaN multilayer structures
بواسطة: Liu, W., وآخرون
منشور في: (2014)

Effect of post-deposition annealing on the interface electronic structures of Al2O3-Capped GaN and GaN/AlGaN/GaN heterostructure
بواسطة: Duan, Tian Li, وآخرون
منشور في: (2019)

Study of the effect of forward gate bias stress on the reliability of AlGaN/GaN HEMTs on SI
بواسطة: Gao, Yu
منشور في: (2021)

Growth and characterization of AlGaN/GaN HEMT heterostructures on 100-mm Si (111) by MBE
بواسطة: Manvi Agrawal
منشور في: (2013)

Investigation of interface properties of h-BN and AlN on AlGaN/GaN heterostructures
بواسطة: Whiteside, Matthew David
منشور في: (2021)

AlGaN/GaN high electron mobility transistors with implanted ohmic contacts
بواسطة: Wang, H.T., وآخرون
منشور في: (2014)

Analysis of optical gain and threshold current density of wurtzite InGaN/GaN/AlGaN quantum well lasers
بواسطة: Teo, Y. C., وآخرون
منشور في: (2013)

The temperature dependent TCAD and SPICE modeling of AlGaN/GaN HEMTs
بواسطة: Yuan, Li, وآخرون
منشور في: (2013)

AlGaN/GaN HEMT based gas sensor characterisation and measurement
بواسطة: Ng, Ting Siang
منشور في: (2018)

AlGaN/GaN two-dimensional-electron gas heterostructures on 200 mm diameter Si(111)
بواسطة: Dolmanan, S. B., وآخرون
منشور في: (2013)

Growth and characterization of AlGaN/GaN/AlGaN double-heterojunction high-electron-mobility transistors on 100-mm Si(111) using ammonia-molecular beam epitaxy
بواسطة: Ravikiran, L., وآخرون
منشور في: (2015)

Piezoelectric Franz-Keldysh effect in a GaN/InGaN/AlGaN multilayer structure
بواسطة: Hou, Yong Tian, وآخرون
منشور في: (2014)