Failure mechanism analysis and process improvement on time-dependent dielectric breakdown of Cu/ultra-low-k dielectric based on complementary Raman and FTIR spectroscopy study
10.1063/1.4890960
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Wang, D.D, Wang, W.L, Huang, M.Y, Lek, A, Lam, J, Mai, Z.H |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL AND COMPUTER ENGINEERING |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2020
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/183712 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | National University of Singapore |
مواد مشابهة
-
Gate Dielectric-Breakdown-Induced Microstructural Damage in MOSFETs
بواسطة: Tang, L.J., وآخرون
منشور في: (2014) -
GATE DIELECTRIC BREAKDOWN - 2D MODELING OF THE DBIE IMPACT ON THE DEVICE CHARACTERISTICS
بواسطة: CAO YU
منشور في: (2019) -
Gate dielectric degradation mechanism associated with DBIE evolution
بواسطة: Pey, K.L., وآخرون
منشور في: (2014) -
A new breakdown failure mechanism in HfO 2 gate dielectric
بواسطة: Ranjan, R., وآخرون
منشور في: (2014) -
Reliability modeling of ultra-thin gate oxide and high-k dielectrics for nano-scale CMOS devices
بواسطة: LOH WEI YIP
منشور في: (2010)