Failure mechanism analysis and process improvement on time-dependent dielectric breakdown of Cu/ultra-low-k dielectric based on complementary Raman and FTIR spectroscopy study

10.1063/1.4890960

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Wang, D.D, Wang, W.L, Huang, M.Y, Lek, A, Lam, J, Mai, Z.H
مؤلفون آخرون: ELECTRICAL AND COMPUTER ENGINEERING
التنسيق: مقال
منشور في: 2020
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/183712
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: National University of Singapore

مواد مشابهة