Pulsed laser salicidation for fabrication of ultra-thin silicides in sub-quarter micron devices
US6156654
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | HO, CHAW SING, LEE, YUAN PING, LAP, CHAN, LU, YONG FENG, KARUNASIRI, R.P.G. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING |
التنسيق: | Patent |
منشور في: |
2012
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/32584 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | National University of Singapore |
مواد مشابهة
-
Method to fabricate a double-polysilicon gate structure for a sub-quarter micron self-aligned-titanium silicide process
بواسطة: PEY, KIN-LEONG, وآخرون
منشور في: (2012) -
Effect of argon or nitrogen pre-amorphized implant on SALICIDE formation for deep sub-micron CMOS technology
بواسطة: Ho, C.S., وآخرون
منشور في: (2014) -
Design and simulation of sub-quarter micron MOSFETs
بواسطة: SREEDHARAN PILLAI SREELAL
منشور في: (2010) -
Titanium self-aligned silicide process fabrication issues for deep sub-micron CMOS devices
بواسطة: Lahiri, S.K., وآخرون
منشور في: (2016) -
Cmos gate architecture for integration of salicide process in sub 0.1. .muM devices
بواسطة: HO, CHAW SING, وآخرون
منشور في: (2012)