Enhancement of TFET performance using Dopant Profile-Steepening Implant and source dopant concentration engineering at tunneling junction

Enhancement of TFET performance using Dopant Profile-Steepening Implant and source dopant concentration engineering at tunneling junction

10.1109/SNW.2010.5562594

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Han, G., Yee, Y.S., Guo, P., Yang, Y., Fan, L., Zhan, C., Yeo, Y.-C.
مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق: Conference or Workshop Item
منشور في: 2014
الوصول للمادة أونلاين:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83706
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة

مواد مشابهة