High-k integration and interface engineering for III-V MOSFETs

High-k integration and interface engineering for III-V MOSFETs

10.1149/1.3572300

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Oh, H.J., Sumarlina, A.B.S., Lee, S.J.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	Conference or Workshop Item
منشور في:	2014
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83798
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة

Novel III-V mosfet integrated with high-k dielectric and metal gate for future CMOS technology
بواسطة: LIN JIANQIANG
منشور في: (2010)

Thermally robust phosphorous nitride interface passivation for InGaAs self-aligned gate-first n-MOSFET integrated with high-k dielectric
بواسطة: Oh, H.J., وآخرون
منشور في: (2014)

High mobility high-k/Ge pMOSFETs with 1 nm EOT-new concept on interface engineering and interface characterization
بواسطة: Xie, R., وآخرون
منشور في: (2014)

Gate stack engineering of germanium mosfets with high-K dielectrics
بواسطة: WU NAN
منشور في: (2010)

Interface engineering for InGaAs n-MOSFET application using plasma PH 3-N2 passivation
بواسطة: Oh, H.-J., وآخرون
منشور في: (2014)

III-V MOSFETs with a new self-aligned contact
بواسطة: Zhang, X., وآخرون
منشور في: (2014)

Interface study of high-k oxide and Ge for the future Ge based MOSFET device
بواسطة: DENG WENSHENG
منشور في: (2012)

A new self-aligned contact technology for III-V MOSFETs
بواسطة: Guo, H., وآخرون
منشور في: (2014)

High-K MOSFETS with high mobility channels
بواسطة: HUANG JIDONG
منشور في: (2010)

Interface Engineering in the High-k Dielectric Gate Stacks
بواسطة: Wang, S., وآخرون
منشور في: (2014)

Performance comparison of III-V MOSFETs with source filter for electron energy
بواسطة: Lam, K.-T., وآخرون
منشور في: (2014)

III-V MOSFETs: Surface passivation for gate stack, source/drain and channel strain engineering, self-aligned contact metallization
بواسطة: Yeo, Y.-C., وآخرون
منشور في: (2014)

Interface-engineered high-mobility high-κ/Ge pMOSFETs with 1-nm equivalent oxide thickness
بواسطة: Xie, R., وآخرون
منشور في: (2014)

Interface engineering for high-k/Ge gate stack
بواسطة: Xie, R., وآخرون
منشور في: (2014)

Schottky-barrier S/D MOSFETs with high-K gate dielectrics and metal-gate electrode
بواسطة: Zhu, S., وآخرون
منشور في: (2014)

Modeling study of InSb thin film for advanced III-V MOSFET applications
بواسطة: Zhu, Z.G., وآخرون
منشور في: (2014)

Ultimate performance projection of ballistic III-V ultra-thin-body MOSFET
بواسطة: Guo, Y., وآخرون
منشور في: (2014)

Self-aligned NiGeSi contacts on gallium arsenide for III-V MOSFETs
بواسطة: Zhang, X., وآخرون
منشور في: (2014)

Highly lattice-mismatched epitaxy for III-V/Si integration
بواسطة: Jia, Bowen
منشور في: (2018)

Trends in bonding configuration at SiC/III-V semiconductor interfaces
بواسطة: Zheng, J.-C., وآخرون
منشور في: (2014)

Development and characterization of high-k gate stack for Ge MOSFETs
بواسطة: Xie, R., وآخرون
منشور في: (2014)

Low temperature MOSFET technology with Schottky barrier source/drain, high-K gate dielectric and metal gate electrode
بواسطة: Zhu, S., وآخرون
منشور في: (2014)

Schottky source/drain MOSFETs on SiGe on insulator with high-K gate dielectric and TaN gate electrode
بواسطة: Gao, F., وآخرون
منشور في: (2014)

High-k gate stack formation on strained SiGe substrate for MOSFET applications
بواسطة: Zhu, C., وآخرون
منشور في: (2014)

The link between NBTI and TDDB of high-k gate P-MOSFETs
بواسطة: Gao, Yuan, وآخرون
منشور في: (2013)

New insights in hf based high-k gate dielectrics in mosfets
بواسطة: Li, M.-F., وآخرون
منشور في: (2014)

Self-Aligned Source and Drain Contact Engineering for High Mobility III-V Transistor
بواسطة: ZHANG XINGUI
منشور في: (2013)

Digital breakdown and switching behaviours in high-K dielectrics in nano-scale mosfets
بواسطة: Liu, Wenhu.
منشور في: (2013)

Failure mechanisms in HfO2 high-k gate stack MOSFETs
بواسطة: Ranjan Rakesh
منشور في: (2008)

A simulation study of FIBL in Ge MOSFETs with high-k gate dielectrics
بواسطة: Tan, Y.P., وآخرون
منشور في: (2014)

Germanium MOSFETs with high-K gate dielectric and advanced source/drain structure
بواسطة: ZHANG QINGCHUN
منشور في: (2010)

Band engineering in the high-k dielectrics gate stacks
بواسطة: Wang, S.J., وآخرون
منشور في: (2014)

High performance high-k/metal gate germanium MOSFETs with shallow junction fabricated by laser thermal process
بواسطة: Zhang, Q.C., وآخرون
منشور في: (2014)

M-V MOSFETs: Surface passivation, source/drain and channel strain engineering, self-aligned contact metallization
بواسطة: Yeo, Y.-C., وآخرون
منشور في: (2014)

10 kV SiC MOSFET based medium voltage power conditioning system for asynchronous microgrids
بواسطة: Chen, Ruirui, وآخرون
منشور في: (2023)

High efficiency integrated III-V-nitride solar cells on silicon-based substrates
بواسطة: Leong, Nelvin Yurong
منشور في: (2018)

Novel technique to engineer aluminum profile at nickel-silicide/silicon: carbon interface for contact resistance reduction, and integration in strained N-MOSFETs with silicon-carbon stressors
بواسطة: Koh, S.-M., وآخرون
منشور في: (2014)

Design optimization of power MOSFET for high frequency synchronous rectification
بواسطة: Liang, Y.C., وآخرون
منشور في: (2014)

Schottky s/d MOSFETs with high-Kgate dielectrics and metal gate electrodes
بواسطة: Zhu, S., وآخرون
منشور في: (2014)

BEEM studies on metal high K-dielectric HfO2 interfaces
بواسطة: Zheng, Y., وآخرون
منشور في: (2014)