Work function tunability by incorporating lanthanum and aluminum into refractory metal nitrides and a feasible integration process
10.1109/ICSICT.2006.306268
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Wang, X.P., Li, M.-F., Yu, H.Y., Ren, C., Loh, W.Y., Zhu, C.X., Chin, A., Trigg, A.D., Yeo, Y.-C., Biesemans, S., Lo, G.Q., Kwong, D.L. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING |
التنسيق: | Conference or Workshop Item |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/84366 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | National University of Singapore |
مواد مشابهة
-
Work function tunability of refractory metal nitrides by lanthanum or aluminum doping for advanced CMOS devices
بواسطة: Wang, X.P., وآخرون
منشور في: (2014) -
Lanthanide-incorporated metal nitrides with tunable work function and good thermal stability for NMOS devices
بواسطة: Ren, C., وآخرون
منشور في: (2014) -
Wide Vfband Vth tunability for metal-gated MOS devices with HfLaO gate dielectrics
بواسطة: Wang, X.P., وآخرون
منشور في: (2014) -
Widely tunable work function TaN/Ru stacking layer on HfLaO gate dielectric
بواسطة: Wang, X.P., وآخرون
منشور في: (2014) -
An integratable dual metal gate CMOS process using an ultrathin aluminum nitride buffer layer
بواسطة: Park, C.S., وآخرون
منشور في: (2014)