Resilience of ultra-thin oxynitride films to percolative wear-out and reliability implications for high-κ stacks at low voltage stress
Localized progressive wear-out and degradation of ultra-thin dielectrics around the oxygen vacancy percolation path formed during accelerated time dependent dielectric breakdown tests is a well-known phenomenon documented for silicon oxynitride (SiON) based gate stacks in metal oxide semiconductor f...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , , , |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | مقال |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2013
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/101175 http://hdl.handle.net/10220/18307 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|