Influence of interface traps and surface mobility degradation on scanning capacitance microscopy measurement
10.1109/TED.2004.833590
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Hong, Y.D., Yeow, Y.T., Chim, W.-K., Wong, K.-M., Kopanski, J.J. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/56325 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Accurate modeling of the effects of fringing area interface traps on scanning capacitance microscopy measurement
بواسطة: Hong, Y.D., وآخرون
منشور في: (2014) -
Theoretical model of interface trap density using the spread of the differential capacitance characteristics in scanning capacitance microscopy measurements
بواسطة: Wong, K.M., وآخرون
منشور في: (2014) -
Spatial distribution of interface trap density in strained channel transistors using the spread of the differential capacitance characteristics in scanning capacitance microscopy measurements
بواسطة: Wong, K.M., وآخرون
منشور في: (2014) -
Physical mechanism of oxide interfacial traps, carrier mobility degradation and series resistance on contrast reversal in scanning-capacitance-microscopy dopant concentration extraction
بواسطة: Wong, K.M., وآخرون
منشور في: (2014) -
Monitoring Oxide Quality Using the Spread of the dC/dV Peak in Scanning Capacitance Microscopy Measurements
بواسطة: Chim, W.K., وآخرون
منشور في: (2014)