SILICON NITRIDE FILMS PREPARED BY PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION (PECVD) OF SiH//4/NH//3/N//2 MIXTURES: SOME PHYSICAL PROPERTIES.

SILICON NITRIDE FILMS PREPARED BY PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION (PECVD) OF SiH//4/NH//3/N//2 MIXTURES: SOME PHYSICAL PROPERTIES.

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Ling, C.H., Kwok, C.Y., Prasad, K.
مؤلفون آخرون: ELECTRICAL ENGINEERING
التنسيق: مقال
منشور في: 2014
الوصول للمادة أونلاين:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/62763
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة

مواد مشابهة