The role ofni buffer layer between insn solder and eu metallization for hermetic wafer bonding
10.1109/EMAP.2008.4784256
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Yu, D., Lee, C., Lau, J.H. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING |
التنسيق: | Conference or Workshop Item |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/71996 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | National University of Singapore |
مواد مشابهة
-
The role of Ni buffer layer on high yield low temperature hermetic wafer bonding using In/Sn/Cu metallization
بواسطة: Yu, D.-Q., وآخرون
منشور في: (2014) -
Wafer-level hermetic bonding using Sn/In and Cu/Ti/Au metallization
بواسطة: Yu, D.-Q., وآخرون
منشور في: (2014) -
Wafer level hermetic bonding using Sn/In and Cu/Ti/Au metallization
بواسطة: Yu, D., وآخرون
منشور في: (2014) -
Study of Ag-In solder as low temperature wafer bonding intermediate layer
بواسطة: Made, R.I., وآخرون
منشور في: (2014) -
Characterization and reliability study of low temperature hermetic wafer level bonding using In/Sn interlayer and Cu/Ni/Au metallization
بواسطة: Yu, D.-Q., وآخرون
منشور في: (2014)