Reverse short channel effects in nMOSFETs
Rapid advancement of the Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) transistor in the last two decades has seen the approach of the 0.18um technology. However, this has caused phenomena that had not been previously observed. Two of these are the Reverse Short Channel Effects (RSCE) and the Transient Enhanced D...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | Theses and Dissertations |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2008
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://hdl.handle.net/10356/13234 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| المؤسسة: | Nanyang Technological University |
| اللغة: | English |