Physical and electrical failure analysis of Cu/low k interconnect system
Time-dependent dielectric breakdown (TDDB) is becoming one of the main reliability issues of Cu/low-k interconnect. In the study of TDDB breakdown mechanisms, a non-conventional single terminated tip test structure that provides easier failure site identification has been used. A new single terminat...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Lau, Fu Long. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | Gan Chee Lip |
التنسيق: | Final Year Project |
اللغة: | English |
منشور في: |
2011
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://hdl.handle.net/10356/44535 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Dielectric failure mechanisms in advanced Cu/low-k interconnect architecture
بواسطة: Tan, Tam Lyn
منشور في: (2008) -
Stress migration study of Cu/Low-k interconnect system
بواسطة: Lim, Yeow Kheng
منشور في: (2008) -
Study on the effectiveness of reservoir length in improving electromigration in Cu/Low-k interconnects
بواسطة: Fu, Chunmiao
منشور في: (2011) -
Investigation of interconnect layout on CU/Low-K TDDB reliability
بواسطة: Ong, Ran Xing
منشور في: (2015) -
Effect of surface treatments on Cu/Ultra-low k interconnection technology
بواسطة: Tan, Hwa Jin.
منشور في: (2008)