Analytical models for channel potential, drain current, and subthreshold swing of short-channel triple-gate FinFETs
An analytical model for channel potential, subthreshold drain current, and subthreshold swing of the short-channel fin-shaped field-effect transistor (FinFET) is obtained. The analytical model results are verified against simulations, good agreement is observed. The explicit expressions for drain cu...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | مقال |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2016
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/82172 http://hdl.handle.net/10220/41136 http://www.pphmj.com/abstract/8431.htm |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|