Electrical characterization of radio frequency sputtered hydrogenated amorphous silicon carbide films
Journal of Applied Physics
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Choi, W.K., Han, L.J., Loo, F.L. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL ENGINEERING |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/80388 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Structural and electrical studies of radio frequency sputtered hydrogenated amorphous silicon carbide films
بواسطة: Choi, W.K., وآخرون
منشور في: (2014) -
Noise characteristics of radio frequency sputtered amorphous silicon carbide films
بواسطة: Choi, W.K., وآخرون
منشور في: (2014) -
Effects of hydrogen and rf power on the structural and electrical properties of rf sputtered hydrogenated amorphous silicon carbide films
بواسطة: Choi, W.K., وآخرون
منشور في: (2014) -
Effects of RF power and annealing on the electrical and structural properties of sputtered amorphous silicon carbide films
بواسطة: Choi, W.K., وآخرون
منشور في: (2014) -
PREPARATION AND CHARACTERISATION OF HYDROGENATED R. F. SPUTTERED AMORPHOUS SILICON CARBIDE FILMS
بواسطة: LOO FOOK LEONG
منشور في: (2020)