A high-density MIM capacitor (13 fF/μm2) using ALD HfO2 dielectrics
10.1109/LED.2002.808159
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Yu, X., Zhu, C., Hu, H., Chin, A., Li, M.F., Cho, B.J., Kwong, D.-L., Foo, P.D., Yu, M.B. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/81873 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
PVD HfO2 for high-precision MIM capacitor applications
بواسطة: Kim, S.J., وآخرون
منشور في: (2014) -
Lanthanide (Tb)-doped HfO2 for high-density MIM capacitors
بواسطة: Kim, S.J., وآخرون
منشور في: (2014) -
Modeling the negative quadratic VCC of SiO2 in MIM capacitor
بواسطة: Phung, T.H., وآخرون
منشور في: (2014) -
Performance Improvement of Sm2O3 MIM capacitors by using plasma treatment after dielectric formation
بواسطة: Yang, J.-J., وآخرون
منشور في: (2014) -
Very high-density (23 fF/μm2) RF MIM capacitors using high-κ TaTiO as the dielectric
بواسطة: Chiang, K.C., وآخرون
منشور في: (2014)