Strained n-channel FinFETs featuring in situ doped silicon-carbon (Si1-yCy) source and drain stressors with high carbon content

Strained n-channel FinFETs featuring in situ doped silicon-carbon (Si1-yCy) source and drain stressors with high carbon content

10.1109/TED.2008.928025

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Liow, T.-Y., Tan, K.-M., Weeks, D., Lee, R.T.P., Zhu, M., Hoe, K.-M., Tung, C.-H., Bauer, M., Spear, J., Thomas, S.G., Samudra, G.S., Balasubramanian, N., Yeo, Y.-C.
مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق: مقال
منشور في: 2014
الموضوعات:
FinFET
In situ doped
Multiple-gate field-effect transistor (MuGFET)
Silicon-carbon
Strain
Stress
الوصول للمادة أونلاين:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83079
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: National University of Singapore

مواد مشابهة

مواد مشابهة