Work-function tuning of TaN by high-temperature metal intermixing technique for gate-first CMOS process

Work-function tuning of TaN by high-temperature metal intermixing technique for gate-first CMOS process

10.1109/LED.2006.882569

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Ren, C., Chan, D.S.H., Loh, W.Y., Balakumar, S., Du, A.Y., Tung, C.H., Lo, G.Q., Kumar, R., Balasubramanian, N., Kwong, D.-L.
مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق: مقال
منشور في: 2014
الموضوعات:
CMOS
Dual work function (WF)
Gate first
Intermixing (InM)
Metal gate
الوصول للمادة أونلاين:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83280
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: National University of Singapore

مواد مشابهة

مواد مشابهة