Fabrication of microfluidic devices using MeV ion beam Programmable Proximity Aperture Lithography (PPAL)
MeV ion beam lithography is a direct writing technique capable of producing microfluidic patterns and lab-on-chip devices with straight walls in thick resist films. In this technique a small beam spot of MeV ions is scanned over the resist surface to generate a latent image of the pattern. The micro...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Gorelick S., Puttaraksa N., Sajavaara T., Laitinen M., Singkarat S., Whitlow H.J. |
---|---|
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-44449134554&partnerID=40&md5=6fe3d1a57fd1c2f717633f38d40e4b5b http://cmuir.cmu.ac.th/handle/6653943832/5578 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Chiang Mai University |
اللغة: | English |
مواد مشابهة
-
Fabrication of microfluidic devices using MeV ion beam Programmable Proximity Aperture Lithography (PPAL)
بواسطة: S. Gorelick, وآخرون
منشور في: (2018) -
Programmable proximity aperture lithography with MeV ion beams
بواسطة: Puttaraksa N., وآخرون
منشور في: (2014) -
Programmable proximity aperture lithography with MeV ion beams
بواسطة: Nitipon Puttaraksa, وآخرون
منشور في: (2018) -
Resolution performance of programmable proximity aperture MeV ion beam lithography system
بواسطة: Sergey Gorelick, وآخرون
منشور في: (2018) -
Direct writing of channels for microfluidics in silica by MeV ion beam lithography
بواسطة: Puttaraksa N., وآخرون
منشور في: (2014)