High-performance poly-silicon TFTs incorporating LaA1O3 as the gate dielectric

High-performance poly-silicon TFTs incorporating LaA1O3 as the gate dielectric

10.1109/LED.2005.848622

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Hung, B.F., Chiang, K.C., Huang, C.C., Chin, A., McAlister, S.P.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	مقال
منشور في:	2014
الموضوعات:	High-Κ LaAlO3 Thin-film transistors (TFTs) Threshold voltage
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82467
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة:	National University of Singapore

مواد مشابهة

A novel self-aligned offset-gated polysilicon TFT using high-κ dielectric spacers
بواسطة: Xiong, Z., وآخرون
منشور في: (2014)

The effect of IrO2-IrO2- Hf-LaAlO3 gate dielectric on the bias-temperature instability of 3-D GOI CMOSFETs
بواسطة: Yu, D.S., وآخرون
منشور في: (2014)

Atomic Origin of Interface-Dependent Oxygen Migration by Electrochemical Gating at the LaAlO3-SrTiO3 Heterointerface
بواسطة: Dongsheng Song, وآخرون
منشور في: (2021)

Synthesis of tellurium nanowires and their transport property
بواسطة: Liang, F., وآخرون
منشور في: (2014)

Room-temperature fabricated thin-film transistors based on compounds with lanthanum and main family element boron
بواسطة: Xiao, Peng, وآخرون
منشور في: (2018)

A high performance MIM capacitor using HfO 2 dielectrics
بواسطة: Hu, H., وآخرون
منشور في: (2014)

Tuning effective metal gate work function by a novel gate dielectric HfLaO for nMOSFETs
بواسطة: Wang, X.P., وآخرون
منشور في: (2014)

Impact of Al2O3 incorporation on device performance of HfO2 gate dielectric AlGaN/GaN MIS-HFETs
بواسطة: Tian, F., وآخرون
منشور في: (2014)

MIM capacitors using atomic-layer-deposited high-κ (HfO2)1-x(Al2O3)x dielectrics
بواسطة: Hu, H., وآخرون
منشور في: (2014)

The role of nitrogen on charge-trapping-induced Vth instability in HfAlON high-κ gate dielectric with metal and poly-Si gate electrodes
بواسطة: Yu, X., وآخرون
منشور في: (2014)

Design of novel normally-off AlGaN/GaN HEMTs with combined gate recess and floating charge structures
بواسطة: Huang, H., وآخرون
منشور في: (2014)

A Novel Subthreshold Voltage Reference Featuring 17ppm per °C TC within -40°C to 125°C and 75dB PSRR
بواسطة: Jiang, Jize, وآخرون
منشور في: (2016)

MODELLING, SIMULATION, FABRICATION AND CHARACTERISATION OF ALGAN/GAN FIN-GATE HIGH ELECTION MOBILITY TRANSISTERS (FIN-HEMTS)
بواسطة: REN KAILIN
منشور في: (2021)

Enabling high performance n-type metal oxide semiconductors at low temperatures for thin film transistors
بواسطة: Tiwari, Nidhi, وآخرون
منشور في: (2020)

Schottky-barrier S/D MOSFETs with high-K gate dielectrics and metal-gate electrode
بواسطة: Zhu, S., وآخرون
منشور في: (2014)

Assignment of voltage-gated potassium channel blocking activity to κ-KTx1.3, a non-toxic homologue of κ-hefutoxin-1, from Heterometrus spinifer venom
بواسطة: Nirthanan, S., وآخرون
منشور في: (2012)

TUNING AND IMAGING THE ELECTRIC PROPERTIES OF TWO-DIMENSIONAL ELECTRON SYSTEMS AT THE LaAIO3/SrTiO3 INTERFACES
بواسطة: MA HAIJIAO
منشور في: (2015)

Characteristics of high-κ spacer offset-gated polysilicon TFTs
بواسطة: Xiong, Z., وآخرون
منشور في: (2014)

Electronic, magnetic and optical properties of oxide surfaces, heterostructures and interfaces: role of defects
بواسطة: LIU ZHIQI
منشور في: (2013)

Top-Gate Short Channel Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin Film Transistors with Sub-1.2 nm Equivalent Oxide Thickness
بواسطة: Han, Kaizhen, وآخرون
منشور في: (2022)

Germanium pMOSFETs With Schottky-barrier Germanide S/D, high-Κ gate dielectric and metal gate
بواسطة: Zhu, S., وآخرون
منشور في: (2014)

Growth of PMN-PT thin film by pulsed laser deposition
بواسطة: ZHONG XIANGLI
منشور في: (2010)

Low-Temperature ZnO Thin Film and Its Application in PbS Quantum Dot Solar Cells
بواسطة: Mai, Xuan Dung, وآخرون
منشور في: (2018)

Widely tunable work function TaN/Ru stacking layer on HfLaO gate dielectric
بواسطة: Wang, X.P., وآخرون
منشور في: (2014)

Integration of high-κ dielectrics and metal gate on gate-all-around si-nanowire-based architecture for high-speed nonvolatile charge-trapping memory
بواسطة: Fu, J., وآخرون
منشور في: (2014)

Al₂O₃/HfO₂ nanolaminate dielectric boosting IGZO-based flexible thin-film transistors
بواسطة: Shi, Qiuwei, وآخرون
منشور في: (2023)

PATTERNING OF HAFNIUM ALUMINIUM OXIDE/POLY-SI GATE STACK FOR ADVANCED CMOS APPLICATIONS
بواسطة: ARDIANTO WIRASENTANA
منشور في: (2019)

Pt-germanide schottky source/drain germanium p-MOSFET with HfO2 gate dielectric and TaN gate electrode
بواسطة: Li, R., وآخرون
منشور في: (2014)

A new polysilicon CMOS self-aligned double-gate TFT technology
بواسطة: Xiong, Z., وآخرون
منشور في: (2014)

Optical-reconfigurable carbon nanotube and indium-tin-oxide complementary thin-film transistor logic gates
بواسطة: Zou, Jianping, وآخرون
منشور في: (2020)

Modification of molybdenum gate electrode work function via (La-, Al-Induced) dipole effect at High-κ/SiO2 interface
بواسطة: Lim, A.E.-J., وآخرون
منشور في: (2014)

In 0.49 Ga 0.51 P/GaAs heterojunction bipolar transistors (HBTs) on 200 mm Si substrates : effects of base thickness, base and sub-collector doping concentrations
بواسطة: Wang, Yue, وآخرون
منشور في: (2019)

THE STUDY OF THE COUPLING BETWEEN MULTI-DEGREE OF FREEDOMS AT COMPLEX OXIDE INTERFACES BY USING FIRST-PRINCIPLES CALCULATIONS
بواسطة: KONG WEILONG
منشور في: (2020)

Pulsed laser deposition of PZT/LSCO heterostructures for FE-FET application
بواسطة: Liu, J.-M., وآخرون
منشور في: (2014)

Drive-current enhancement in Ge n-Channel MOSFET using laser annealing for source/drain activation
بواسطة: Zhang, Q., وآخرون
منشور في: (2014)

Dopant-free FUSI PtxSi metal gate for high work function and reduced Fermi-level pinning
بواسطة: Park, C.S., وآخرون
منشور في: (2014)

V t balancing and device sizing towards high yield of sub-threshold static logic gates
بواسطة: Pu, Y., وآخرون
منشور في: (2014)

Different Constant Voltages of Anodization on the Corrosion Behavior of Ti-6Al-4V Alloy
بواسطة: Warittha Asumpinwong ", وآخرون
منشور في: (2019)

NMOS compatible work function of TaN metal gate with erbium-oxide-doped hafnium oxide gate dielectric
بواسطة: Chen, J., وآخرون
منشور في: (2014)

A novel program-erasable high-κ AlN capacitor with memory function
بواسطة: Chin, A., وآخرون
منشور في: (2014)