Material and electrical characterization of HfO2 films for MIM capacitors application

Material and electrical characterization of HfO2 films for MIM capacitors application

Materials Research Society Symposium - Proceedings

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Hu, H., Zhu, C., Lu, Y.F., Wu, Y.H., Liew, T., Li, M.F., Cho, B.J., Choi, W.K., Yakovlev, N.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	Conference or Workshop Item
منشور في:	2014
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83937
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة:	National University of Singapore

مواد مشابهة

A high performance MIM capacitor using HfO 2 dielectrics
بواسطة: Hu, H., وآخرون
منشور في: (2014)

PVD HfO2 for high-precision MIM capacitor applications
بواسطة: Kim, S.J., وآخرون
منشور في: (2014)

Physical and electrical characterization of HfO2 metal-insulator-metal capacitors for Si analog circuit applications
بواسطة: Hu, H., وآخرون
منشور في: (2014)

MIM capacitors with HfO2 and HfAlOx for Si RF and analog applications
بواسطة: Yu, X., وآخرون
منشور في: (2014)

HfO2 and Lanthanide-doped HfO2 MIM Capacitors for RF/Mixed IC Applications
بواسطة: Kim, S.J., وآخرون
منشور في: (2014)

Lanthanide (Tb)-doped HfO2 for high-density MIM capacitors
بواسطة: Kim, S.J., وآخرون
منشور في: (2014)

Voltage and Temperature Dependence of Capacitance of High-K HfO 2 MIM Capacitors: A Unified Understanding and Prediction
بواسطة: Zhu, C., وآخرون
منشور في: (2014)

Evidence and understanding of ALD HfO2-Al2O3 laminate MIM capacitors outperforming sandwich counterparts
بواسطة: Ding, S.-J., وآخرون
منشور في: (2014)

A high-density MIM capacitor (13 fF/μm2) using ALD HfO2 dielectrics
بواسطة: Yu, X., وآخرون
منشور في: (2014)

High-Performance MIM Capacitor Using ALD High-κ HfO 2-Al2O3 Laminate Dielectrics
بواسطة: Ding, S.-J., وآخرون
منشور في: (2014)

A comparison study of high-density MIM capacitors with ALD HfO 2-Al 2O 3 laminated, sandwiched and stacked dielectrics
بواسطة: Ding, S.-J., وآخرون
منشور في: (2014)

High Performance ALD HfO 2-Al 2O 3 Laminate MIM Capacitors for RF and Mixed Signal IC Applications
بواسطة: Hu, H., وآخرون
منشور في: (2014)

Improvement of voltage linearity in high-κ MIM capacitors using HfO2-SiO2 stacked dielectric
بواسطة: Kim, S.J., وآخرون
منشور في: (2014)

MIM capacitors using atomic-layer-deposited high-κ (HfO2)1-x(Al2O3)x dielectrics
بواسطة: Hu, H., وآخرون
منشور في: (2014)

High-performance MIM capacitors using HfLaO-based dielectrics
بواسطة: Zhang, L., وآخرون
منشور في: (2014)

RF, DC, and reliability characteristics of ALD HfO2-Al2O3 laminate MIM capacitors for Si RF IC applications
بواسطة: Ding, S.-J., وآخرون
منشور في: (2014)

HiGH-kappa; MIM capacitors with atomic-layer-deposited HfO 2-Al2O3 laminated and sandwiched dielectrics for analog circuit applications
بواسطة: Ding, S.-J., وآخرون
منشور في: (2014)

Cubic structured HfLaO dielectrics for MIM capacitor for RF IC applications
بواسطة: Zhang, L., وآخرون
منشور في: (2014)

MOS Characteristics of synthesized HfAlON-HfO2 stack using AlN-HfO2
بواسطة: Park, C.S., وآخرون
منشور في: (2014)

Effect of annealing on the composition and structure of HfO2 and nitrogen-incorporated HfO2
بواسطة: Yeo, C.C., وآخرون
منشور في: (2014)

High-density MIM capacitors using AlTaOx dielectrics
بواسطة: Yang, M.Y., وآخرون
منشور في: (2014)

Improvement of Electrical Properties of MOCVD HfO2 by Multistep Deposition
بواسطة: Yeo, C.C., وآخرون
منشور في: (2014)

Quantum tunneling and scalability of HfO2 and HfAlO gate stacks
بواسطة: Hou, Y.T., وآخرون
منشور في: (2014)

Modeling of tunneling currents through HfO2 and (HfO2)x(Al2O3)1-x gate stacks
بواسطة: Hou, Y.T., وآخرون
منشور في: (2014)

Dependence of chemical composition ratio on electrical properties of HfO2-Al2O3 gate dielectric
بواسطة: Joo, M.S., وآخرون
منشور في: (2014)

Effect of surface NH 3 anneal on the physical and electrical properties of HfO 2 films on Ge substrate
بواسطة: Wu, N., وآخرون
منشور في: (2014)

Engineering of voltage nonlinearity in high-K MIM capacitor for analog/mixed-signal ICs
بواسطة: Kim, S.J., وآخرون
منشور في: (2014)

High density RF MIM capacitors using high-κ AlTaOx dielectrics
بواسطة: Huang, C.H., وآخرون
منشور في: (2014)

Metal-insulator-metal RF bypass capacitor using niobium oxide (Nb2O5) with HfO2/Al2O3 barriers
بواسطة: Kim, S.-J., وآخرون
منشور في: (2014)

Modeling the negative quadratic VCC of SiO2 in MIM capacitor
بواسطة: Phung, T.H., وآخرون
منشور في: (2014)

High-K dielectric MIM capacitors for Silicon RF and analog applications
بواسطة: HU HANG
منشور في: (2011)

Very high density RF MIM capacitor compatible with VLSI
بواسطة: Chiang, K.C., وآخرون
منشور في: (2014)

HfO2 gate dielectrics for future generation of CMOS device application
بواسطة: Yu, H.Y., وآخرون
منشور في: (2014)

The electrical and material properties of HfO xN y dielectric on germanium substrate
بواسطة: Zhang, Q., وآخرون
منشور في: (2014)

Robust High-Quality HfN-HfO 2 Gate Stack for Advanced MOS Device Applications
بواسطة: Yu, H.Y., وآخرون
منشور في: (2014)

Evolution of Schottky barrier heights at Ni/HfO2interfaces
بواسطة: Li, Q., وآخرون
منشور في: (2011)

Substrate effects on resonant frequency of silicon-based RF on-chip MIM capacitor
بواسطة: Xiong, Y.-Z., وآخرون
منشور في: (2014)

TDDB characteristics of ultra-thin HfN/HfO2 gate stack
بواسطة: Yang, H., وآخرون
منشور في: (2014)

Impact and Origin of Interface States in MOS Capacitor with Monolayer MoS 2 and HfO 2 High-k Dielectric
بواسطة: Xia, P, وآخرون
منشور في: (2020)

Improved electrical performance and thermal stability of HfO2 / Al2 O3 bilayer over HfO2 gate dielectric AlGaN/GaN MIS-HFETs
بواسطة: Tian, F., وآخرون
منشور في: (2014)