The gate leakage current in graphene field-effect transistor

The gate leakage current in graphene field-effect transistor

IEEE Electron Device Letters

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Mao, L.-F., Li, X.-J., Wang, Z.-O., Wang, J.-Y.
مؤلفون آخرون:	MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING
التنسيق:	مقال
منشور في:	2014
الموضوعات:	Dielectric films Graphene electronics Metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) Tunneling
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/86787
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة:	National University of Singapore

مواد مشابهة

The gate leakage current in graphene field-effect transistor
بواسطة: Mao, L.-F., وآخرون
منشور في: (2014)

Computational study of double-gate graphene nano-ribbon transistors
بواسطة: Liang, G., وآخرون
منشور في: (2014)

Graphene nanoribbon tunneling field-effect transistors with a semiconducting and a semimetallic heterojunction channel
بواسطة: Da, H., وآخرون
منشور في: (2014)

Strained germanium-tin (GeSn) p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors (p-MOSFETs) with ammonium sulfide passivation
بواسطة: Wang, L., وآخرون
منشور في: (2014)

Characterization of gate charging N-channel mosfet to determine the effects of different gate bias voltages and temperature conditions
بواسطة: Garcia, Rommel Galang
منشور في: (2008)

Influence of contact doping on graphene nanoribbon heterojunction tunneling field effect transistors
بواسطة: Da, H., وآخرون
منشور في: (2014)

Source/drain doping influence on heterojunction graphene nanoribbon tunneling field effect transistors
بواسطة: Da, H., وآخرون
منشور في: (2014)

Hole tunneling current through oxynitride/oxide stack and the stack optimization for p-MOSFETs
بواسطة: Yu, H.Y., وآخرون
منشور في: (2014)

Tunneling field-effect transistor: Effect of strain and temperature on tunneling current
بواسطة: Guo, P.-F., وآخرون
منشور في: (2014)

Direct tunneling currents through gate dielectrics in deep submicron MOSFETs
بواسطة: Hou, Y., وآخرون
منشور في: (2014)

Electrostatics of ultimately thin-body tunneling FET Using graphene nanoribbon
بواسطة: Lam, K.-T., وآخرون
منشور في: (2014)

BLACK PHOSPHORUS TUNNELING TRANSISTOR
بواسطة: SALAMAT BURZHUEV
منشور في: (2021)

A simulation study of graphene-nanoribbon tunneling FET with heterojunction channel
بواسطة: Lam, K.-T., وآخرون
منشور في: (2014)

Inkjet-Printed Liquid Gated Graphene Field Effect Transistor for the Detection of Interleukin-6
بواسطة: Jabines, Al Vincent A, وآخرون
منشور في: (2024)

Tunneling field-effect transistor: Capacitance components and modeling
بواسطة: Yang, Y., وآخرون
منشور في: (2014)

FABRICATION AND CHARACTERIZATION OF SOI MOSFETS
بواسطة: LUO SIQI
منشور في: (2019)

Analysis and design of a 3-stage CMOS current controlled ring oscillator
بواسطة: Prapto Nugroho
منشور في: (2008)

Chemical Growth Routes to Graphene and Graphene Applications
بواسطة: ANG KAILIAN PRISCILLA
منشور في: (2012)

Silane and ammonia surface passivation technology for high-mobility In 0.53Ga0.47As MOSFETs
بواسطة: Chin, H.-C., وآخرون
منشور في: (2014)

Metal gate technology for nanoscale transistors - Material selection and process integration issues
بواسطة: Yeo, Y.-C.
منشور في: (2014)

Gate Dielectric-Breakdown-Induced Microstructural Damage in MOSFETs
بواسطة: Tang, L.J., وآخرون
منشور في: (2014)

Performance benefits of diamond-like carbon liner stressor in strained p-channel field-effect transistors with silicon-germanium source and drain
بواسطة: Tan, K.-M., وآخرون
منشور في: (2014)

Very low noise RF nMOSFETs on pastic by substrate thinning and wafer transfer
بواسطة: Kao, H.L., وآخرون
منشور في: (2014)

Investigation of hole-tunneling current through ultrathin oxynitride/oxide stack gate dielectrics in p-MOSFETs
بواسطة: Yu, H., وآخرون
منشور في: (2014)

Advanced HfTaON/SiO2 gate stack with high mobility and low leakage current for low-standby-power application
بواسطة: Yu, X., وآخرون
منشور في: (2014)

Gate stack engineering of germanium mosfets with high-K dielectrics
بواسطة: WU NAN
منشور في: (2010)

A variational approach to the two-dimensional nonlinear Poisson's equation for the modeling of tunneling transistors
بواسطة: Shen, C., وآخرون
منشور في: (2014)

Investigation on performance and reliability improvements of GaN-based heterostructure field effect transistors
بواسطة: TIAN FENG
منشور في: (2011)

SPICE behavioral model of the tunneling field-effect transistor for circuit simulation
بواسطة: Hong, Y., وآخرون
منشور في: (2014)

Tuning effective metal gate work function by a novel gate dielectric HfLaO for nMOSFETs
بواسطة: Wang, X.P., وآخرون
منشور في: (2014)

Graphene-based spin diode and transistor
بواسطة: Zeng, M.G., وآخرون
منشور في: (2014)

Al₂O₃/HfO₂ nanolaminate dielectric boosting IGZO-based flexible thin-film transistors
بواسطة: Shi, Qiuwei, وآخرون
منشور في: (2023)

Strained Si/SiGe channel with buried Si0.99C0.01 for improved drivability, gate stack integrity and noise performance
بواسطة: Loh, W.-Y., وآخرون
منشور في: (2014)

Germanium-tin p-channel tunneling field-effect transistor: Device design and technology demonstration
بواسطة: Yang, Y., وآخرون
منشور في: (2014)

Interface-engineered high-mobility high-κ/Ge pMOSFETs with 1-nm equivalent oxide thickness
بواسطة: Xie, R., وآخرون
منشور في: (2014)

Performance comparison of armchair-edged and nitrogen-doped zigzag-edged graphene nanoribbon Schottky barrier field-effect transistors
بواسطة: Lam, K.-T., وآخرون
منشور في: (2014)

Schottky source/drain transistor integrated with high-k and metal gate for sub-tenth nm technology
بواسطة: LI RUI
منشور في: (2010)

Advanced Transistors for Supply Voltage Reduction: Tunneling Field-Effect Transistors and High-Mobility MOSFETS
بواسطة: GUO PENGFEI
منشور في: (2013)

Organic field effect transistors : theory, fabrication and characterization
بواسطة: Kymissis, Ioannis.
منشور في: (2017)

Research progress on flexible oxide-based thin film transistors
بواسطة: Zhang, Lirong, وآخرون
منشور في: (2019)