Hydrogenated amorphous silicon carbide deposition using electron cyclotron resonance chemical vapor deposition under high microwave power and strong hydrogen dilution
10.1063/1.1500418
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Chew, K., Rusli, Yoon, S.F., Ahn, J., Ligatchev, V., Teo, E.J., Osipowicz, T., Watt, F. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | PHYSICS |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/93988 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Effects of microwave power on the structural and emission properties of hydrogenated amorphous silicon carbide deposited by electron cyclotron resonance chemical vapor deposition
بواسطة: Cui, J., وآخرون
منشور في: (2014) -
Investigation of molybdenum-carbon films (Mo-C:H) deposited using an electron cyclotron resonance chemical vapor deposition system
بواسطة: Rusli, وآخرون
منشور في: (2014) -
Gap state distribution in amorphous hydrogenated silicon carbide films deduced from photothermal deflection spectroscopy
بواسطة: Chew, K., وآخرون
منشور في: (2014) -
Characteristics of nickel-containing carbon films deposited using electron cyclotron resonance CVD
بواسطة: Huang, Q.F., وآخرون
منشور في: (2014) -
Deposition of polymeric nitrogenated amorphous carbon films (a-C:H:N) using electron cyclotron resonance CVD
بواسطة: Yoon, S.F., وآخرون
منشور في: (2014)