Atomistic simulation study of high-κ oxide defects for understanding gate stack and RRAM reliability

High-κ Oxide Defects in the MOSFET gate stack and RRAM cell severely impact the device reliability. In this work, we conducted first-principles modeling and simulation to investigate BTI performance in the SiON, HfO2 and La doped HfO2 MOSFET gate stacks. The properties of VO, Oi and VO-Oi defect pai...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Gu, Chenjie
مؤلفون آخرون: Ang Diing Shenp
التنسيق: Theses and Dissertations
اللغة:English
منشور في: 2015
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://hdl.handle.net/10356/62224
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة