Atomistic simulation study of high-κ oxide defects for understanding gate stack and RRAM reliability
High-κ Oxide Defects in the MOSFET gate stack and RRAM cell severely impact the device reliability. In this work, we conducted first-principles modeling and simulation to investigate BTI performance in the SiON, HfO2 and La doped HfO2 MOSFET gate stacks. The properties of VO, Oi and VO-Oi defect pai...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | Theses and Dissertations |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2015
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/62224 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| المؤسسة: | Nanyang Technological University |
| اللغة: | English |