Reservoir effect and the role of low current density regions on electromigration lifetimes in copper interconnects
Electromigration (EM) in copper dual-damascene interconnects with extensions(also described as overhang regions or reservoirs) in the upper metal (M2) were investigated. It was found that as the extension length increases from 0 to 60 nm, the median-time-to-failure increased from 50 to 140 h, repres...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , , |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | مقال |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2012
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/94915 http://hdl.handle.net/10220/7699 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|