High-performance inkjet printed carbon nanotube thin film transistors with high-k HfO2 dielectric on plastic substrate
Inkjet printing is used to fabricate CN-TFT devices on PET substrate with 70 nm HfO2 gate dielectric. By varying the amount of printing, effective mobility can be raised to 43 cm2 V−1 s−1 with on/off ratio ≥ 104 for devices with channel length 160 μm. This demonstrates that inkjet printing is promis...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Lee, Chun Wei, Raman Pillai, Suresh Kumar, Luan, Xuena, Wang, Yilei, Li, Chang Ming, Chan-Park, Mary B. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | School of Chemical and Biomedical Engineering |
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
2013
|
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/99135 http://hdl.handle.net/10220/10395 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
High-performance partially aligned semiconductive single-walled carbon nanotube transistors achieved with a parallel technique
بواسطة: Wang, Yilei, وآخرون
منشور في: (2014) -
A high performance MIM capacitor using HfO 2 dielectrics
بواسطة: Hu, H., وآخرون
منشور في: (2014) -
BEEM studies on metal high K-dielectric HfO2 interfaces
بواسطة: Zheng, Y., وآخرون
منشور في: (2014) -
The electrical and material properties of HfO xN y dielectric on germanium substrate
بواسطة: Zhang, Q., وآخرون
منشور في: (2014) -
Al₂O₃/HfO₂ nanolaminate dielectric boosting IGZO-based flexible thin-film transistors
بواسطة: Shi, Qiuwei, وآخرون
منشور في: (2023)