Characterization of charge trapping in submicrometer NMOSFET's by gate capacitance measurements
Electron device letters
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Ling, C.H., Yeow, Y.T., Ah, L.K. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL ENGINEERING |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/61928 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Study of hot-carrier degradation in submicrometer LDD NMOSFET's from 1 f noise and charge pumping current measurements at different temperature anneals
بواسطة: Ang, D.S., وآخرون
منشور في: (2014) -
Study of hot carrier degradation in NMOSFET's by gate capacitance and charge pumping current
بواسطة: Ling, C.H., وآخرون
منشور في: (2014) -
Channel mobility degradation and charge trapping in high-k/metal gate NMOSFETs
بواسطة: Mathew, S., وآخرون
منشور في: (2014) -
Observation of MOSFET degradation due to electrical stressing through gate-to-source and gate-to-drain capacitance measurement
بواسطة: Yeow, Y.T., وآخرون
منشور في: (2014) -
Extraction of channel length in 0.1 μm NMOSFET by gate to drain capacitance
بواسطة: Ling, C.H., وآخرون
منشور في: (2014)