Characterization of charge trapping in submicrometer NMOSFET's by gate capacitance measurements

Electron device letters

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Ling, C.H., Yeow, Y.T., Ah, L.K.
مؤلفون آخرون: ELECTRICAL ENGINEERING
التنسيق: مقال
منشور في: 2014
الوصول للمادة أونلاين:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/61928
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة