Very Low Defects and High Performance Ge-On-insulator p-MOSFETs with Al2O3 Gate Dielectrics

Very Low Defects and High Performance Ge-On-insulator p-MOSFETs with Al2O3 Gate Dielectrics

Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Huang, C.H., Yang, M.Y., Chin, A., Chen, W.J., Zhu, C.X., Cho, B.J., Li, M.-F., Kwong, D.L.
مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق: Conference or Workshop Item
منشور في: 2014
الوصول للمادة أونلاين:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/84351
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة

مواد مشابهة