Interfacial reactions and failure mechanism of Cu/Ta/SiO2/Si multilayer structure in thermal annealing
10.1016/S0921-5107(02)00093-4
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Latt, K.M., Lee, Y.K., Osipowicz, T., Park, H.S. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | PHYSICS |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/96965 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Effect of the silicon nitride passivation layer on the Cu/Ta/SiO2/Si multi-layer structure
بواسطة: Latt, K.M., وآخرون
منشور في: (2014) -
The impact of layer thickness of IMP-deposited tantalum nitride films on integrity of Cu/TaN/SiO2/Si multilayer structure
بواسطة: Latt, K.M., وآخرون
منشور في: (2014) -
Properties of electroplated copper thin film and its interfacial reactions in the EPCu/IMPCu/IMPTaN/SiO2/Si multilayer structure
بواسطة: Latt, K.M., وآخرون
منشور في: (2014) -
Thermal stability of Cu/α-Ta/SiO2/Si structures
بواسطة: Yuan, Z.L., وآخرون
منشور في: (2014) -
Study of interactions between α-Ta films and SiO2 under rapid thermal annealing
بواسطة: Yuan, Z.L., وآخرون
منشور في: (2014)