A Threshold Voltage Model for Charge Trapping Effect of AlGaN/GaN HEMTs

A Threshold Voltage Model for Charge Trapping Effect of AlGaN/GaN HEMTs

10.1109/ACCESS.2019.2937545

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Jia, Y., Wen, Z., Chen, Y., Xie, C.-C., Guo, Y.-X., Xu, Y.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL AND COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	مقال
منشور في:	Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. 2021
الموضوعات:	dispersion HEMTs III-V semiconductor materials scattering parameters Semiconductor device modeling threshold voltage
الوصول للمادة أونلاين:	https://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/212344
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة:	National University of Singapore

مواد مشابهة

Design of novel normally-off AlGaN/GaN HEMTs with combined gate recess and floating charge structures
بواسطة: Huang, H., وآخرون
منشور في: (2014)

AlN/GaN/AlGaN-on-Si HEMT achieving 1.3 W/mm at 5 v for 5G FR2 handsets
بواسطة: Li, Hanchao, وآخرون
منشور في: (2025)

GaN HEMTs device modeling in high-power and high-frequency applications
بواسطة: Zhang, Juncheng
منشور في: (2025)

Stress evolution of GaN/AlN heterostructure grown on 6H-SiC substrate by plasma assisted molecular beam epitaxy
بواسطة: Agrawal, Manvi, وآخرون
منشور في: (2017)

Ga-bilayer controlled AlGaN/GaN HEMT structure grown on Si by PA-MBE
بواسطة: Agrawal, M., وآخرون
منشور في: (2011)

AlGaN/GaN HEMT-based ultraviolet photodetectors with enhanced device efficiency
بواسطة: Ahmed Salah Hawash Razeen
منشور في: (2024)

Experimental study of AlGaN/GaN HEMT based devicesfor gas sensing applications
بواسطة: Jahan, Fina
منشور في: (2018)

Variable range hopping-assisted parasitic channel leakage in AlN/GaN/AlGaN HEMTs on Si
بواسطة: Liu, Siyu, وآخرون
منشور في: (2024)

Characterization of deep region trapping effects in AlN/GaN HEMTs with an AlGaN back barrier utilizing tri-state pulsed IV technique
بواسطة: Zhuang, Yihao, وآخرون
منشور في: (2024)

Optical characteristics of p-type GaAs-based semiconductors towards applications in photoemission infrared detectors
بواسطة: Lao, Y. F., وآخرون
منشور في: (2017)

Metalorganic chemical vapor deposition-regrown Ga-rich InGaP films on SiGe virtual substrates for Si-based III-V optoelectronic device applications
بواسطة: Kim, TaeWan, وآخرون
منشور في: (2017)

Investigation of self-heating effect on DC and RF performances in AlGaN/GaN HEMTs on CVD-Diamond
بواسطة: Ranjan, Kumud, وآخرون
منشور في: (2020)

Studies of gallium nitride (GaN) based high electron mobility transistor (HEMTS)
بواسطة: Ong, Eugene Wei Han
منشور في: (2024)

Analytical modelling of high temperature characteristics on the DC responses for Schottky-gate AlGaN/GaN HEMT devices
بواسطة: Wang, Y.-H., وآخرون
منشور في: (2014)

Fabrication and characterization of AIGaN/GaN HEMTs
بواسطة: HOY KIN MENG, DERRICK
منشور في: (2010)

Realization of two dimensional electron gas in AlGaN/GaN HEMT structure grown on Si (111) by PA-MBE
بواسطة: Sun, Z. Z., وآخرون
منشور في: (2011)

Au-free normally-off AlGaN/GaN-on-Si MIS-HEMTs using combined partially recessed and fluorinated trap-charge gate structures
بواسطة: Huang, H., وآخرون
منشور في: (2014)

Simulation and characterization of two-dimensional hole gas in GaN heterostructures for GaN HEMT applications
بواسطة: Wong, Yi Jing
منشور في: (2022)

Effects of gate field plates on the surface state related current collapse in AlGaN/GaN HEMTs
بواسطة: Huang, H., وآخرون
منشور في: (2014)

High Johnson’s figure of merit (8.32 THz·V) in 0.15-µm conventional T-gate AlGaN/GaN HEMTs on silicon
بواسطة: Ranjan, Kumud, وآخرون
منشور في: (2015)

Formation of periodic interfacial misfit dislocation array at the InSb/GaAs interface via surface anion exchange
بواسطة: Jia, Bo Wen, وآخرون
منشور في: (2017)

Non-gold ohmic contact for GaN-on-Si HEMT
بواسطة: Zhuang, Yihao
منشور في: (2023)

Growth and characterization of AlGaN/GaN HEMT heterostructures on 100-mm Si (111) by MBE
بواسطة: Manvi Agrawal
منشور في: (2013)

On-state reliability study of AlGaN/GaN high electron mobility transistor on silicon
بواسطة: Syaranamual, Govindo Joannesha
منشور في: (2018)

Improved DC performance of AlGaN/GaN high electron mobility transistors using hafnium oxide for surface passivation
بواسطة: Liu, C., وآخرون
منشور في: (2014)

AlGaN/GaN high electron mobility transistors with implanted ohmic contacts
بواسطة: Wang, H.T., وآخرون
منشور في: (2014)

Pulsed current-voltage characteristics of AlGaN/GaN high-electron-mobility-transistors on HR-Si substrate
بواسطة: Lee, Wei Yi.
منشور في: (2009)

Phosphor-free apple-white LEDs with embedded indium-rich nanostructures grown on strain relaxed nano-epitaxy GaN
بواسطة: Soh, C.B., وآخرون
منشور في: (2014)

High-Frequency Characteristics of InGaP/GaAs Double Heterojunction Bipolar Transistor Epitaxially Grown on 200 mm Ge/Si Wafers
بواسطة: Khai, L.W., وآخرون
منشور في: (2021)

Investigation of interface properties of h-BN and AlN on AlGaN/GaN heterostructures
بواسطة: Whiteside, Matthew David
منشور في: (2021)

Impact of carbon impurities on the initial leakage current of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
بواسطة: Gao, Yu, وآخرون
منشور في: (2019)

InAlN/GaN HEMTs on Si With High fT of 250 GHz
بواسطة: Xing, Weichuan, وآخرون
منشور في: (2020)

Phenomenon of drain current instability on p-GaN gate AlGaN/GaN HEMTs
بواسطة: Chang, T.-F., وآخرون
منشور في: (2016)

Uniaxial strain effect on the electronic and optical properties of wurtzite GaN-AlGaN quantum-well lasers
بواسطة: Yeo, Y.C., وآخرون
منشور في: (2014)

MODELLING, SIMULATION, FABRICATION AND CHARACTERISATION OF ALGAN/GAN FIN-GATE HIGH ELECTION MOBILITY TRANSISTERS (FIN-HEMTS)
بواسطة: REN KAILIN
منشور في: (2021)

Sputter-deposited ZrO2 gate dielectric on high mobility epitaxial-GaAs/Ge channel material for advanced CMOS applications
بواسطة: Dalapati, G.K., وآخرون
منشور في: (2014)

Material characterization of AlGaN/GaN based HEMT structures
بواسطة: Nur Hidayat Bin Hatwi
منشور في: (2014)

An AlGaN/GaN high electron mobility transistor with a built-in light emitter using radiative recombination of two-dimensional electron gas and holes
بواسطة: Chang, C.-Y., وآخرون
منشور في: (2021)

Effect of the (1010) crystal orientation on the optical gain of wurtzite GaN-AlGaN quantum-well lasers
بواسطة: Yeo, Y.C., وآخرون
منشور في: (2014)

Theoretical calculation and efficient simulations of power semiconductor AlGaN/GaN HEMTs
بواسطة: Huang, H., وآخرون
منشور في: (2014)