A new liner stressor (GeTe) featuring stress enhancement due to very large phase-change induced volume contraction for p-channel FinFETs

A new liner stressor (GeTe) featuring stress enhancement due to very large phase-change induced volume contraction for p-channel FinFETs

10.1109/VLSIT.2012.6242477

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Cheng, R., Ding, Y., Koh, S.-M., Gyanathan, A., Bai, F., Liu, B., Yeo, Y.-C.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	Conference or Workshop Item
منشور في:	2014
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83383
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة

Phase change liner stressor for strain engineering of P-channel FinFETs
بواسطة: Ding, Y., وآخرون
منشور في: (2014)

A new expandible ZnS-SiO2 liner stressor for n-channel FinFETs
بواسطة: Ding, Y., وآخرون
منشور في: (2014)

A new Ge 2Sb 2Te 5 (GST) liner stressor featuring stress enhancement due to amorphous-crystalline phase change for sub-20 nm p-channel FinFETs
بواسطة: Ding, Y., وآخرون
منشور في: (2014)

Modeling of a new liner stressor comprising Ge 2Sb 2Te 5 (GST): Amorphous-crystalline phase change and stress induced in FinFET channel
بواسطة: Cheng, R., وآخرون
منشور في: (2014)

Strain enhancement in spacerless N-channel FinFETs with silicon-carbon source and drain stressors
بواسطة: Liow, T.-Y., وآخرون
منشور في: (2014)

High-performance GeSn photodetector and fin field-effect transistor (FinFET) on an advanced GeSn-on-insulator platform
بواسطة: Wang, W., وآخرون
منشور في: (2022)

Strained p-channel FinFETs with extended Π-shaped silicon-germanium source and drain stressors
بواسطة: Tan, K.-M., وآخرون
منشور في: (2014)

High-performance GeSn photodetector and fin field-effect transistor (FinFET) on an advanced GeSn-on-insulator platform
بواسطة: Wang, Wei, وآخرون
منشور في: (2019)

Spacer removal technique for boosting strain in n-channel FinFETs with silicon-carbon source and drain stressors
بواسطة: Liow, T.-Y., وآخرون
منشور في: (2014)

N-Channel (110)-sidewall strained FinFETs with silicon-carbon source and drain stressors and tensile capping layer
بواسطة: Liow, T.-Y., وآخرون
منشور في: (2014)

Sub-30 nm FinFETs with schottky-barrier source/drain featuring complementary metal silicides and fully-silicided gate for P-FinFETs
بواسطة: Lee, R.T.P., وآخرون
منشور في: (2014)

Drive-current enhancement in FinFETs using gate-induced stress
بواسطة: Tan, K.-M., وآخرون
منشور في: (2014)

Strained FinFETs with in-situ doped Si1-yCy source and drain stressors: Performance boost with lateral stressor encroachment and high substitutional carbon content
بواسطة: Liow, T.-Y., وآخرون
منشور في: (2014)

Integration of Al segregated NiSiGe/SiGe source/drain contact technology in p-FinFETs for drive current enhancement
بواسطة: Sinha, M., وآخرون
منشور في: (2014)

Platinum germanosilicide as source/drain contacts in P-channel fin field-effect transistors (FinFETs)
بواسطة: Lee, R.T.P., وآخرون
منشور في: (2014)

Strained n-channel FinFETs featuring in situ doped silicon-carbon (Si1-yCy) source and drain stressors with high carbon content
بواسطة: Liow, T.-Y., وآخرون
منشور في: (2014)

Random telegraph signal noise in gate-all-around Si-FinFET with ultranarrow body
بواسطة: Lim, Y.F., وآخرون
منشور في: (2014)

Schottky barrier height modulation of nickeldysprosium-alloy germanosilicide contacts for strained P-FinFETs
بواسطة: Sinha, M., وآخرون
منشور في: (2014)

High performance Ω-gate Ge FinFET featuring low temperature Si 2H 6 passivation and implantless Schottky-barrier NiGe metallic source/drain
بواسطة: Liu, B., وآخرون
منشور في: (2014)

Sulfur implant for reducing nickel silicide contact resistance in FinFETs with silicon-carbon source/drain
بواسطة: Koh, S.-M., وآخرون
منشور في: (2014)

Novel heterogeneous integration technology of III-V layers and InGaAs FinFETs to silicon
بواسطة: Dai, Xing, وآخرون
منشور في: (2014)

All-printed carbon nanotube finFETs on plastic substrates for high-performance flexible electronics
بواسطة: Chan-Park, Mary B., وآخرون
منشور في: (2013)

Simulation of multiple gate FinFET device gate capacitance and performance with gate length and pitch scaling
بواسطة: Zhao, H., وآخرون
منشور في: (2014)

P-channel tri-gate FinFETs featuring Ni1-yPtySiGe source/drain contacts for enhanced drive current performance
بواسطة: Lee, R.T.-P., وآخرون
منشور في: (2014)

Strained silicon nanowire p-channel FETs with diamond-like carbon liner stressor
بواسطة: Liu, B., وآخرون
منشور في: (2014)

Design of a sub-1V low-dropout (LDO) voltage regulator in FinFET technology
بواسطة: Vats Ved Prakash
منشور في: (2019)

A FinFET and Tri-gate MOSFET's channel structure patterning and its influence on the device performance
بواسطة: Jagar, S., وآخرون
منشور في: (2014)

Achieving conduction band-edge Schottky barrier height for arsenic-segregated nickel aluminide disilicide and implementation in FinFETs with ultra-narrow fin widths
بواسطة: Lee, R.T.-P., وآخرون
منشور في: (2014)

Lattice strain analysis of silicon fin field-effect transistor structures wrapped by Ge2Sb2Te5 liner stressor
بواسطة: Ding, Y., وآخرون
منشور في: (2014)

Analysis of the effects of fringing electric field on finFET device performance and structural optimization using 3-D simulation
بواسطة: Zhao, H., وآخرون
منشور في: (2014)

A gate-last In0.53Ga0.47As channel FinFET with Molybdenum source/drain contacts
بواسطة: Zhang, X., وآخرون
منشور في: (2014)

N-channel FinFETs with 25-nm gate length and Schottky-Barrier source and drain featuring Ytterbium silicide
بواسطة: Lee, R.T.P., وآخرون
منشور في: (2014)

Contact resistance reduction technology using aluminum implant and segregation for strained p-FinFETs with silicongermanium source/drain
بواسطة: Sinha, M., وآخرون
منشور في: (2014)

Analytical models for channel potential, drain current, and subthreshold swing of short-channel triple-gate FinFETs
بواسطة: Gu, Enyao, وآخرون
منشور في: (2016)

Nickel-silicide contact technology with dual near-band-edge barrier heights and integration in CMOS FinFETs with single mask
بواسطة: Sinha, M., وآخرون
منشور في: (2014)

Strained N-channel FinFETs with 25 nm gate length and silicon-carbon source/drain regions for performance enhancement
بواسطة: Liow, T.-Y., وآخرون
منشور في: (2014)

P-FinFETs with Al segregated NiSi/p+-Si source/drain contact junction for series resistance reduction
بواسطة: Sinha, M., وآخرون
منشور في: (2014)

Asymetrically strained high performance Germanium gate-all-around nanowire p-FETs featuring 3.5 nm wire width and contractible phase change liner stressor (Ge2Sb2Te5)
بواسطة: Cheng, R., وآخرون
منشور في: (2014)

Single silicide comprising nickel-dysprosium alloy for integration in p- and n-FinFETs with independent control of contact resistance by aluminum implant
بواسطة: Sinha, M., وآخرون
منشور في: (2014)

Novel tellurium co-implantation and segregation for effective source/drain contact resistance reduction and gate work function modulation in n-FinFETs
بواسطة: Koh, S.-M., وآخرون
منشور في: (2014)