Study of process dependent reliability in SiOC dielectric interconnects and film
Proceedings of the International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits, IPFA
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Mok, T.S., Yoo, W.J., Krishnamoorthy, A. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING |
التنسيق: | Conference or Workshop Item |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/71884 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | National University of Singapore |
مواد مشابهة
-
Dependence of leakage mechanisms on dielectric barrier in Cu-SiOC damascene interconnects
بواسطة: Ngwan, V.C., وآخرون
منشور في: (2014) -
Fabrication of polymer-derived SiOC/carbon composites using PμSL
بواسطة: Pek, Shaun Yue Zheng
منشور في: (2023) -
Reliability improvement using buried capping layer in advanced interconnects
بواسطة: Yiang, K.Y., وآخرون
منشور في: (2014) -
Metallization and dielectric reliability in Cu interconnects: Effect of cap layers and surface treatments
بواسطة: Krishnamoorthy, A., وآخرون
منشور في: (2014) -
Ab initio variational transition state theory and master equation study of the reaction (OH)3SiOCH2 + CH3 ⇌ (OH)3SiOC2H5
بواسطة: Nurkowski, Daniel, وآخرون
منشور في: (2015)