A new Ge 2Sb 2Te 5 (GST) liner stressor featuring stress enhancement due to amorphous-crystalline phase change for sub-20 nm p-channel FinFETs

A new Ge 2Sb 2Te 5 (GST) liner stressor featuring stress enhancement due to amorphous-crystalline phase change for sub-20 nm p-channel FinFETs

10.1109/IEDM.2011.6131678

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Ding, Y., Cheng, R., Koh, S.-M., Liu, B., Gyanathan, A., Zhou, Q., Tong, Y., Lim, P.S.-Y., Han, G., Yeo, Y.-C.
مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق: Conference or Workshop Item
منشور في: 2014
الوصول للمادة أونلاين:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83381
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة

مواد مشابهة