Fast and slow dynamic NBTI components in p-MOSFET with SiON dielectric and their impact on device life-time and circuit application

Fast and slow dynamic NBTI components in p-MOSFET with SiON dielectric and their impact on device life-time and circuit application

10.1109/.2005.1469225

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Yang, T., Li, M.F., Shen, C., Ang, C.H., Zhu, C., Yeo, Y.C., Samudra, G., Rustagi, S.C., Yu, M.B., Kwong, D.L.
مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق: Conference or Workshop Item
منشور في: 2014
الوصول للمادة أونلاين:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83730
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: National University of Singapore

مواد مشابهة

مواد مشابهة